4価イオンドープ石英の分極処理による圧電性
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概要
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本論文ではゲルマニウムをドープした石英薄膜において、分極処理により圧電性が発現し、その大きさも水晶を凌駕することを示す。ゲルマニウムドープ石英(以下、germanosilicateあるいはGe:SiO_2と略記)薄膜は高周波マグネトロンスパッタリングにより形成したものを用い、分極処理は350〜360℃の温度において行った。分極処理を施すことにより、縦応力に対して明瞭な圧電応答が観測され、最も大きなものでは水晶のd_<11>の2倍程度の圧電定数(d_<33>)が得られた。germanosilicateは光導波路材料であるが、これに圧電性を付与することにより、新たなUHF帯の光・弾性波集積デバイスの可能性が考えられる。また、ゲルマニウム以外のチタン、スズをドープしたところ、同様の圧電現象が確認できた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-06-28
著者
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