QE05 光起電圧による弾性波励振特性向上の検討(ポスターセッションII)

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 超音波エレクトロニクスの基礎と応用に関するシンポジウム運営委員会の論文
• 2000-11-06

著者

• 野毛 悟

  神奈川工科大学

• 宇野 武彦

  神奈川工科大

• 栗田 美絵

  神奈川工科大学電気電子工学科

関連論文

• 4価元素をドープした石英薄膜における可視光スペクトル
• ディジタルオーディオにおける伝送帯域拡大の効果に関する検討
• 96kHzサンプリングディジタルオーディオの音質評価に関する検討
• LiNbO_3基板に形成したシリカ超構造薄膜の光学特性(材料デバイスサマーミーティング)
• シリカ系薄膜における可視発光(光・電子デバイス実装、及びデバイス技術,一般)
• 超格子構造シリカ薄膜における圧電および発光特性(圧電デバイス材料 強誘電材料 一般)
• 平行平板モデルを用いたイヤホン測定時の漏洩効果の検討
• イヤホン装着時の漏洩効果の平行平板モデル近似
• US2000-28 / EMD2000-24 / CPM2000-39 / OME2000-34 異種材料貼り合わせのための基礎検討
• コンタクトエピによる石英基板上への磁気光学薄膜形成
• US2000-28 / EMD2000-24 / CPM2000-39 / OME2000-34 異種材料貼り合わせのための基礎検討
• US2000-28 / EMD2000-24 / CPM2000-39 / OME2000-34 異種材料貼り合わせのための基礎検討
• US2000-28 / EMD2000-24 / CPM2000-39 / OME2000-34 異種材料貼り合わせのための基礎検討
• 傾斜歩行時における歩行1サイクルの運動学的分析
• 電流印加による水晶双晶化の促進
• 電流印加による水晶双晶化の促進
• 電流印加による水晶双晶化の促進
• 電流印加による水晶双晶化の促進
• ベータ相水晶による高温用精密温度センサの検討(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• ベータ相水晶による高温用精密温度センサの検討(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• ベータ相水晶による高温用精密温度センサの検討(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• ベータ相水晶による高温用精密温度センサの検討(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• 道路騒音の計測・評価に対するラフネス, シャープネス等の適用について
• 聴覚品質を考慮した騒音評価に関する検討
• C-6-19 シリカ超構造薄膜における電子線発光(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
• 急傾斜の登り・下り歩行時の下肢筋群活動 : 重量負荷による影響
• 道路騒音の周波数スペクトル特性と作業効率について
• 登り歩行における筋放電パターンの分析 : 一定速度と至適速度の比較
• 傾斜歩行時の下肢関節運動の運動学的分析 : 登り歩行と下り歩行の比較
• マルチチャネルサラウンド音声再生における映像の寄与について
• カンチレバー形振動変位ピックアップとその応用
• 1)HDTVマルチチャネル音声3-1方式のモニタレベルと品質評価(放送現業研究会)
• HDTVマルチチャネル音声3-1方式のモニタレベルと品質評価 : 音声技術および一般 : 放送現業
• 頭内定位感覚に対する振動の寄与について : 視聴覚技術 : 聴覚、音声関係および一般
• 3P-25 β相水晶における共振特性の切断方位依存性(ポスターセッション)
• Ce置換YIG膜の構造と磁気光学特性
• 3P3-18 β相水晶を用いた高温センサー(ポスターセッション)
• β相水晶の圧電特性と温度センサへの応用
• A-11-6 β水晶による高温用温度センサの検討(A-11.超音波,一般セッション)
• C-6-6 弾性波励振用ホトダイオードの検討
• C-3-97 SiO_2 基板上に形成された Ce : YIG 薄膜の非相反移相特性
• C-6-13 ダイレクトボンドによるSiO_2基板へのCe : YIG薄膜形成
• C-6-9 SiO_2基板へのCe:YIG薄膜形成法と磁気光学特性の検討
• 多元素ドープシリカ薄膜によるルミネセンス(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• 多元素ドープシリカ薄膜によるルミネセンス(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• 多元素ドープシリカ薄膜によるルミネセンス(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• 多元素ドープシリカ薄膜によるルミネセンス(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• 超構造薄膜光導波路の形成と特性
• 3P1-16 LiNbO_3基板に形成した埋め込み光導波路のSAW伝搬特性(ポスターセッション)
• C-6-20 4価元素をドープした石英ガラス薄膜の可視光スペクトル(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
• LiNbO_3基板に形成したシリカ超構造薄膜の光学特性(材料デバイスサマーミーティング)
• LiNbO_3基板に形成したシリカ超構造薄膜の光学特性(材料デバイスサマーミーティング)
• 光-弾性波複合センサの検討(圧電デバイス・材料,強誘電体材料,有機エレクトロニクス,一般)
• 光-弾性波複合センサの検討(圧電デバイス・材料,強誘電体材料,有機エレクトロニクス,一般)
• 光-弾性波複合センサの検討(圧電デバイス・材料,強誘電体材料,有機エレクトロニクス,一般)
• 光-弾性波複合センサの検討(圧電デバイス・材料,強誘電体材料,有機エレクトロニクス,一般)
• 1-19 SAW共振器の小形・高Q化(一般講演)
• シリカ系薄膜における可視発光(光・電子デバイス実装、及びデバイス技術,一般)
• シリカ系薄膜における可視発光(光・電子デバイス実装、及びデバイス技術,一般)
• シリカ系薄膜における可視発光(光・電子デバイス実装、及びデバイス技術,一般)
• 高温相水晶の共振特性と温度センサへの応用
• C-6-4 下地基板の影響を軽減した結晶薄膜の形成法(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
• C-6-10 シリカ系ナノ人工格子薄膜の圧電性(C-6.電子部品・材料)
• P1-C-38 4価イオンドープシリカ薄膜の圧電性(バルク波・表面波デバイス,ポスターセッション1(概要講演))
• C-6-14 超音波センサの光アクセス化に関する実験的検討
• 4価イオンドープ石英の分極処理による圧電性
• 4価イオンドープ石英の分極処理による圧電性
• 4価イオンドープ石英の分極処理による圧電性
• 4価イオンドープ石英の分極処理による圧電性
• C-6-10 超構造薄膜の紫外照射分極(C-6.電子部品・材料,一般講演)
• シリカ系誘電体超構造薄膜の諸特性(圧電デバイス・材料, 強誘電体材料, 有機エレクトロニクス, 一般)
• シリカ系誘電体超構造薄膜の諸特性(圧電デバイス・材料, 強誘電体材料, 有機エレクトロニクス, 一般)
• シリカ系誘電体超構造薄膜の諸特性(圧電デバイス・材料, 強誘電体材料, 有機エレクトロニクス, 一般)
• C-6-7 4価イオンをドープしたシリカ薄膜の可視発光特性(C-6. 電子部品・材料, エレクトロニクス2)
• C-6-6 シリカ系誘電体超格子薄膜の圧電特性(C-6. 電子部品・材料, エレクトロニクス2)
• P1-21 シリカ系誘電体超格子薄膜の諸特性(ポスターセッション1(概要講演))
• 超格子構造シリカ薄膜における圧電および発光特性(圧電デバイス材料 強誘電材料 一般)
• 超格子構造シリカ薄膜における圧電および発光特性(圧電デバイス材料 強誘電材料 一般)
• PB2 水晶基板における双晶形成の過渡現象(ポスターセッション1)
• OC1 人工双晶水晶基板を用いた弾性波素子(超音波デバイス)
• 分極処理した4価金属ドープシリカ薄膜における圧電性と可視発光
• C-6-8 LiNbO_3単結晶薄膜の形成法(C-6.電子部品・材料,一般講演)
• C-6-4 シリカ系超構造薄膜における発光スペクトル(C-6.電子部品・材料,一般講演)
• 石英基板上へのYIG系単結晶薄膜の形成(圧電デバイス・材料,強誘電体材料,有機エレクトロニクス,一般)
• 石英基板上へのYIG系単結晶薄膜の形成(圧電デバイス・材料,強誘電体材料,有機エレクトロニクス,一般)
• 石英基板上へのYIG系単結晶薄膜の形成(圧電デバイス・材料,強誘電体材料,有機エレクトロニクス,一般)
• CS-6-7 シリカ系誘電体超構造薄膜の発光(CS-6.ナノデバイスのための薄膜・材料技術-有機と無機/金属から絶縁体-あらゆる可能性を求めて,エレクトロニクス2)
• CS-6-6 シリカ系誘電体超構造薄膜の諸特性(CS-6.ナノデバイスのための薄膜・材料技術-有機と無機/金属から絶縁体-あらゆる可能性を求めて,エレクトロニクス2)
• C-6-11 下地基板の影響を軽減した酸化物結晶薄膜の形成(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
• 下地基板の影響を軽減した結晶薄膜の形成法
• A-11-1 圧電振動の光による検出法の一検討
• QE06 光による弾性波振動高感度検出法の検討(ポスターセッションII)
• QE05 光起電圧による弾性波励振特性向上の検討(ポスターセッションII)
• US2000-32 / EMD2000-28 / CPM2000-43 / OME2000-38 超音波センサの光アクセス化に関する一検討
• US2000-32 / EMD2000-28 / CPM2000-43 / OME2000-38 超音波センサの光アクセス化に関する一検討
• US2000-32 / EMD2000-28 / CPM2000-43 / OME2000-38 超音波センサの光アクセス化に関する一検討
• US2000-32 / EMD2000-28 / CPM2000-43 / OME2000-38 超音波センサの光アクセス化に関する一検討
• 光アクセス超音波センサの基礎検討
• 高温相水晶の共振特性と温度センサへの応用
• C-6-6 コンタクトエピタクシーによる単結晶薄膜形成法の検討(C-6.電子部品・材料,エレクトロニクス2)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク