石英基板上へのYIG系単結晶薄膜の形成(圧電デバイス・材料,強誘電体材料,有機エレクトロニクス,一般)
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概要
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薄膜型の電子デバイス、集積機能デバイスの作製には、単結晶薄膜が必要とされることが多々ある。しかし、単結晶薄膜形成は下地とする基板の影響が大きいため容易ではない。今なお、シリカ基板上への単結晶薄膜形成技術の確立は強く期待されている。グラフオエピタキシャル法などいくつかの方法が検討されているがまだ実用化に至っていない。著者らは、複雑な工程を必要とすることなく、石英基板上へ単結晶薄膜を形成する方法を提案している。本方法は、サンプル表面のリフレッシュ処理と種結晶片を用いた熱処理を行う方法で、コンタクトエピタクシー法と呼ぶ。セリウム置換YIG[(Ce_xY_<3-x>)Fe_5O_12]を対象とした検討を行い、単結晶薄膜形成の兆候を確認した。ファラデー回転(波長633nm)はGGG基板上に形成されたエピタキシャル成長膜と同程度の値(2000deg/cm)を得た。本手法はシリコン、石英等の基板上への単結晶薄膜形成技術として有効であると考えられる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-06-23
著者
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