Snをドープしたシリカガラス薄膜の可視発光
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
We studied the optical properties of Sn-doped silica glass thin films on SiO2substrate. The films were prepared by RF magnetron sputtering. We investigated the effect ofthe emission spectra and intensities for deposition conditions as deposition rate, oxygen partialpressure of gas, and, the amount of doping. Also we examined the effect of thermal treatmentat around 650 °C in air. These films were measured absorption spectrum and emissionspectrum at room temperature. These samples were observed blue or white luminescence byUV (wavelength:254 nm) irradiation. The emission spectrum peak was around 450nm, and theabsorption spectrum was around 200nm.
- 2011-01-31
著者
-
野毛 悟
沼津工業高等専門学校電気電子工学科
-
望月 翔太
沼津工業高等専門学校
-
望月 翔太
沼津高専専攻科
-
野毛 悟
沼津工業高等専門学電気電子工学科
-
野毛 悟
沼津工業高等専門学校
-
野毛 悟
沼津工業高専電気電子工学科
-
野毛 悟
沼津工業高専 電気電子工学科
関連論文
- 4価元素をドープした石英薄膜における可視光スペクトル
- 電気電子工学科2年生を対象としたPBL型学生実験の実施報告
- コンタクトエピによる石英基板上への磁気光学薄膜形成
- 5-223 プロジェクト型実験を活用した学生の得意分野作り : 神奈川工科大学電気電子情報工学科における新しい実験(口頭発表論文,(5)実験・実技-VII)
- ベータ相水晶による高温用精密温度センサの検討(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- ベータ相水晶による高温用精密温度センサの検討(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- ベータ相水晶による高温用精密温度センサの検討(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- ベータ相水晶による高温用精密温度センサの検討(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- C-6-19 シリカ超構造薄膜における電子線発光(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- C-6-10 Snをドープしたシリカガラス薄膜の光学特性(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- Snをドープしたシリカガラス薄膜の可視発光特性
- 3P3-18 β相水晶を用いた高温センサー(ポスターセッション)
- β相水晶の圧電特性と温度センサへの応用
- A-11-6 β水晶による高温用温度センサの検討(A-11.超音波,一般セッション)
- 1P3-9 LiTaO_3およびLiNbO_3基板上へのコンタクトエピタキシーによる磁気光学薄膜の形成(ポスターセッション)
- Snをドープしたシリカガラス薄膜の可視発光
- 多元素ドープシリカ薄膜によるルミネセンス(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 多元素ドープシリカ薄膜によるルミネセンス(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 多元素ドープシリカ薄膜によるルミネセンス(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 多元素ドープシリカ薄膜によるルミネセンス(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 超構造薄膜光導波路の形成と特性
- 3P1-16 LiNbO_3基板に形成した埋め込み光導波路のSAW伝搬特性(ポスターセッション)
- C-6-20 4価元素をドープした石英ガラス薄膜の可視光スペクトル(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- 2-04P-24 光増幅用シリカ系超構造薄膜の圧電基板上への形成(ポスターセッション 2)
- 2-01P-06 コンタクトエピタクシー法によるLiNbO_3薄膜の方位制御(ポスターセッション 2)
- 高温相水晶の共振特性と温度センサへの応用
- 公民館での出前授業実施報告
- Snをドープしたシリカガラス薄膜の可視発光
- 4価元素を添加した石英ガラス薄膜の可視発光スペクトルの検討
- 4価元素をドープした石英ガラス薄膜の圧電性と可視発行
- C-6-4 下地基板の影響を軽減した結晶薄膜の形成法(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- 下地基板の影響を軽減した結晶薄膜の形成法 (電子部品・材料)
- P3-16 シリカ系超構造薄膜の特性向上の検討(ポスターセッション3(概要講演))
- C-6-10 超構造薄膜の紫外照射分極(C-6.電子部品・材料,一般講演)
- シリカ系誘電体超構造薄膜の諸特性(圧電デバイス・材料, 強誘電体材料, 有機エレクトロニクス, 一般)
- シリカ系誘電体超構造薄膜の諸特性(圧電デバイス・材料, 強誘電体材料, 有機エレクトロニクス, 一般)
- シリカ系誘電体超構造薄膜の諸特性(圧電デバイス・材料, 強誘電体材料, 有機エレクトロニクス, 一般)
- P1-57 光を用いた集積化振動子の励振と検出の高周波化(ポスターセッション1(概要講演))
- 分極処理した4価金属ドープシリカ薄膜における圧電性と可視発光
- シリカ系超構造薄膜による可視発光と光増幅
- シリカ系超構造薄膜による可視発光と光増幅
- シリカ系超構造薄膜による可視発光と光増幅
- C-6-8 LiNbO_3単結晶薄膜の形成法(C-6.電子部品・材料,一般講演)
- C-6-4 シリカ系超構造薄膜における発光スペクトル(C-6.電子部品・材料,一般講演)
- 超音波デバイス シリカ系超構造薄膜の圧電および発光特性
- 石英基板上へのYIG系単結晶薄膜の形成(圧電デバイス・材料,強誘電体材料,有機エレクトロニクス,一般)
- 石英基板上へのYIG系単結晶薄膜の形成(圧電デバイス・材料,強誘電体材料,有機エレクトロニクス,一般)
- 石英基板上へのYIG系単結晶薄膜の形成(圧電デバイス・材料,強誘電体材料,有機エレクトロニクス,一般)
- P1-9 SMR応用デバイスの提案(ポスターセッション1(概要講演))
- CS-6-7 シリカ系誘電体超構造薄膜の発光(CS-6.ナノデバイスのための薄膜・材料技術-有機と無機/金属から絶縁体-あらゆる可能性を求めて,エレクトロニクス2)
- CS-6-6 シリカ系誘電体超構造薄膜の諸特性(CS-6.ナノデバイスのための薄膜・材料技術-有機と無機/金属から絶縁体-あらゆる可能性を求めて,エレクトロニクス2)
- C-6-10 RFマグネトロンスパッタ法によるAZO薄膜の作製(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- C-6-11 下地基板の影響を軽減した酸化物結晶薄膜の形成(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- RFマグネトロンスパッタ法によるAZO透明導電膜の作製
- 下地基板の影響を軽減した結晶薄膜の形成法
- RFマグネトロンスパッタ法によるAZO透明導電膜の作製
- 下地基板の影響を軽減した酸化物結晶薄膜の形成
- C-6-5 ZnO系透明導電膜の作製と評価(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- 高温相水晶の共振特性と温度センサへの応用
- C-6-6 コンタクトエピタクシーによる単結晶薄膜形成法の検討(C-6.電子部品・材料,エレクトロニクス2)
- ZnO系透明導電薄膜の作製と評価
- コンタクトエピタキシヤノレ法による酸化物結晶薄膜の形成
- コンタクトエピタキシャル法による酸化物結晶薄膜の形成(酸化物,酸化物エレクトロニクス,一般)
- コンタクトエピタキシャル法による酸化物結晶薄膜の形成(酸化物,酸化物エレクトロニクス,一般)
- コンタクトエピタキシャル法による酸化物結晶薄膜の形成(酸化物,酸化物エレクトロニクス,一般)
- 機能性石英ガラス薄膜の形成と評価
- ZnO系透明導電薄膜の作製と評価
- 金属元素をドープした石英ガラスの紫外光励起よる発光特性の検討(簿膜プロセス・材料,一般)
- コンタクトエピタキシャル法による酸化物結晶薄膜の形成
- コンタクトエピタキシャル法による酸化物結晶薄膜の形成