ZnO系透明導電薄膜の作製と評価
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概要
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本研究では,先に述べたITOの代替材料として有望なZnO系透明導電薄膜の作製,検討を行った. AZOについてはある程度の知見が得られていることから, GZOを中心に検討を進めた.酸素濃度, Gaペレット数によって成膜条件を変更しながら実験を行い,成膜温度330℃の条件下において抵抗率2.3×10^<-3>Ωcm,平均透過率92.5%の薄膜を得た.抵抗率に関しては, AZOよりGZOの方が一桁ほど高く, AZOの方が優れていることは明らかであるが, AZOとGZOの複合膜構造などの検討に必要なパラメータを得ることができた.
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 2013-07-25
著者
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