ZnO系透明導電薄膜の作製と評価
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概要
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Gallium doped zinc oxide (GZO) thin films were prepared on glass substrates and Sisubstrates by RF magnetron sputtering method by changing following parameters, oxygenconcentration, number of Gallium pellets on ZnO target and substrate temperature. Theresistivity and transmittance of these films were investigated by four-probe method andmeasurement system using as pectrometer. As ar esult,t he GZO thin film having minimumresistivity of 2.32 x 10-3 0 cm and average transmittance of 92.5 % in visible light region wasobtained following conditions,o xygen concentration; 0%, number of Gallium pellets on ZnOtarget; 3p ellet,su bstrate temperature; 330 oC.
- 2013-01-31
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