RFマグネトロンスパッタ法によるAZO透明導電膜の作製
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概要
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RFマグネトロンスパッタ法によるAZO薄膜の成膜条件に関する検討結果について報告する.放電ガスAr中に反応性ガスO_2を混入させた反応性スパッタリングを用い,メタルターゲットZnの上にAlペレットを配置し,酸素濃度割合,Alドーピング量,成膜温度を変化させた.抵抗率,透過率,結晶配向性を評価し,各種成膜条件における特性変化の原因について検討した.最適形成条件の探索の結果,酸素濃度割合12%,Alドーピング量4%,成膜温度350℃にすることにより,最小抵抗率4.38×10^<-4>Ωcmが得られ,可視光平均透過率は93%が得られた.
- 2011-08-03
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