下地基板の影響を軽減した酸化物結晶薄膜の形成
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概要
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A growth technique for single crystal film on silica substrate is strongly desired, notonly for Ce:YIG but also for many other kinds of materials. Although several kinds ofmethods such as graphoepitaxial growth have been tested, a successful method has not beenestablished yet. In this paper, we propose a simple method of obtaining a single crystal film onsilica substrate. This method will be useful for fabrication of various single oxide crystal filmson silica, silicon and many other substrates.
- 2012-01-31
著者
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