電子供給層と電流制限層を設けたEL素子の発光特性
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概要
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電子ビーム蒸着法で形成したSiO_2,Al_2O_3,Ta_2O_5膜中には, 酸素欠損など化学量論組成からのずれが生じ, この欠損に起因したエネルギー準位が形成されやすい.このためこれらの蒸着膜は低抵抗化され, 電圧が印加されると膜中に多くの電子を捕獲する.そして, およそ7×10^5V/cmに達した印加電界はクランプされ, 電流密度のみが急上昇する現象が認められると共に捕獲電子の放出がはじまる, このような低抵抗率絶縁膜を, EL素子の発光層(ZnS : Mu)の両側に設けると電子供給層となり, 絶縁膜の膜中に捕獲された素子を発光層に注入して印加電圧-発光輝度特性曲線の勾配を急峻化(閾値電圧より30V昇圧で2300cd/m^2)する.低抵抗率絶縁膜のみでは絶縁破壊をきたすので, 電流制限層として低抵抗率絶縁膜の外側に高抵抗率絶縁膜を設けた複合絶縁膜構造のEL素子を作製し, 閾値電圧より110V以上昇圧でき, かつ最高輝度3700cd/m^2が得られた.
- 社団法人映像情報メディア学会の論文
- 1993-07-20
著者
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