ゾルゲル法によるPZT薄膜の構造および強誘電体特性に及ぼす仮焼成温度の効果
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概要
著者
-
逢坂 哲彌
早稲田大学理工学部
-
逢坂 哲彌
早稲田大学
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橋本 晃
関東学院大学工学総合研究所
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小岩 一郎
関東学院大学 大学院工学研究科
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小岩 一郎
沖電気工業株式会社基盤技術研究所
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金原 隆雄
沖電気工業株式会社研究開発本部半導体技術研究所
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見田 充郎
沖電気工業
-
見田 充郎
沖電気工業(株)マイクロシステム技術研究所
-
澤田 佳宏
東京応化工業株式会社
-
橋本 晃
東京応化工業株式会社
-
小野 幸子
早稲田大学理工学総合研究センター
-
前田 将克
早稲田大学理工学部応用化学科
-
澤田 佳宏
東京応化工業株式会社 開発本部 特定研究一部
-
前田 将克
早稲田大学理工学部
-
小岩 一郎
沖電気工業
-
小野 幸子
工学院大学工学部
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