無電解めっき法による磁性ナノドットアレイの作製(垂直記録,一般)
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概要
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ナノメートルスケールの磁性ドットアレイの作製を無電解めっき法を用いて試みた.n-Siウェハ上にSiO_2層,EBレジストを積層させ,電子線描画,反応性イオンエッチングを施すことにより,高さ200-500nm,径80-300nmのドットパターンを有するSiO_2/Si基板を作製した.パターン基板を洗浄,前処理を施した後,無電解CoNiPめっき浴へ浸漬させることにより,ドットパターン部のみへの金属析出を達成した.さらにめっき浴浸漬前の基板活性化プロセスを工夫することにより小径(〜100nm),高アスペクト比(〜5)のドットアレイの作製が可能となった.また,形成されたドットの磁気特性を評価したところ,同めっき浴より析出させた連続薄膜に比べて高い垂直磁気異方性を有することが分かった.これはドットアレイの形状磁気異方性の影響に拠るところが大きいと考えられる.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-06-05
著者
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