無電解めっき法を用いた垂直2層膜媒体軟磁性裏打ち層の開発(画像記録装置及び一般)
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概要
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垂直二層磁気記録媒体の記録層の下層に位置する軟磁性裏打ち層の作製に無電解めっき法の適用を図った。DMABを還元剤とする無電解CoNiFeめっきをシリコンウェハ基板あるいはアルミディスク基板上へ成膜を行ったところ、両基板ともにめっき条件を適宜選択することで, 巨視的磁壁が観測されないKerr効果観測像が得られた.しかしながら、磁化曲線の測定ではめっき中における外部磁場印加の効果は基板によって相反する結果を得た。シリコンウェハに成膜した場合には外部磁場の印加によって、ディスク面内の周方向と半径方向の異方性磁界は大きくなったのに対して、アルミディスクに成膜した場合には、縞状磁区構造を有し磁化曲線は等方性を示した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-01-06
著者
-
逢坂 哲彌
早稲田大学理工学部
-
逢坂 哲彌
早稲田大学
-
朝日 透
早稲田大学 科健機構
-
川治 純
早稲田大学
-
朝日 透
早大理工学術院:早大科健機構
-
津森 俊宏
信越化学工業(株)
-
杉山 敦史
早稲田大学
-
吉野 正洋
早稲田大学 理工学部
-
安達 健
早稲田大学理工学術院
-
坂上 万里子
早稲田大学理工学術院
-
津森 俊宏
信越化学工業
-
吉野 正洋
Advanced Research Institute For Science & Engineering
-
杉山 敦史
早稲田大学 理工学術院
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