1a-BJ-2 半導体の高電界下の核酸係数
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1978-03-10
著者
関連論文
- GaP液相エピキシャル成長時におけるマクロステップの振舞 : エピタキシー
- モルフォロジー
- BCl_3, PCl_3原料を用いたBPの気相成長 : 気相成長
- 液相成長のmacrostep morphology : マイクロモルフォロジー
- InP液相エッチングとモルフォロジー : ホイスカーとモルフォロジー
- Si基板方位によるBPエピタキシャル成長層の変化
- TEMによるGaN薄膜の評価 : 薄膜
- AlNバッファ層を用いたGaN/α-Al_2O_3のMOVPE : 成長初期過程及びバッファ層の効果 : エピタキシーI
- M0VPEによるAlGaN/α-A1_2O_3ヘテロエピタキシーにおけるA1Nバッファ層の効果
- InGaAsP四元混晶の非混和領域におけるLPE成長過程
- Si基板上のMOVPE成長Al_xGa_N結晶のモルフォロジー
- 30p-Z-6 二重量子井戸構造における光伝導 II
- 3a-C-3 二重量子井戸構造における光伝導
- 6p-A2-7 極薄膜超格子におけるラフネス散乱
- 5a-A2-15 二重量子井戸構造における実空間遷移
- 28a-F-17 半導体超格子のホットエレクトロン
- 28a-A-14 二重量子井戸のホトルミネセンス
- 13p-H-7 Impure Barrierのトンネル効果 III
- 5p-H-10 Impure BarrierのTunnel効果 II
- 9a-B-13 GeトンネルダイオードのZ.B.A
- 1a-BJ-2 半導体の高電界下の核酸係数
- 3p-H-1 Ge(000)valleyのBand Tail III
- 5a-NL-18 Time-of-Flight法によるP-Siの電子移動度
- 1a-K-4 P-Siにおける暖かい電子
- 3p-B-7 Time-of-Flight法によるSiの拡散係数
- GaP-PCl_3系によるGe上へのGaP気相エピタキシャル成長 : III-V族化合物半導体など
- 30a-D-2 高電界下の非線型伝導
- 4a-LT-7 高電界下の非線型伝導 III
- 1a-BJ-1 高電界下の非線型伝導 II
- 4p-M-4 高電界下の非線型伝導
- 6p-B-2 Siの高電界効果
- 15a-L-10 Si気相成長量産法IV.
- 3p-N-10 Ge(000)valley のBand Tail-II-
- 3p-TC-17 トンネルダイオードの圧力効果-II-
- 18p-A-18 III-V化合物半導体トンネルダイオードの一軸性圧力効果 II
- III-V族化合物半導体トンネルダイオードの一軸性圧力効果 : 半導体 (圧力効果, 電子顕微鏡による観察)
- 14a-E-21 p-Si中の電子移動度
- 29p-N-12 Time-of-Flight法によるP-Si中の電子移動度
- 1a-F-11 Siにおける少数キャリアーの拡散係数
- InGaAsP/GaAs・LPE成長の界面不安定性現象と解析 : ステップ運動
- 4a-WB-13 Si電子・正孔プラズマ中のホットエレクトロン
- 2a-D-19 二重量子井戸細線の電気伝導
- 6p-H-14 Geの(000)valleyのBand tail
- 28a-A-6 半導体超格子の2次元ポラロン
- 3p-F-2 半導体超格子・超構造の電子-格子相互作用-III
- 3p-A-3 半導体超格子・超構造の電子・格子相互作用II
- 半導体極微デバイスの非線型緩和(基研短期研究会「非平衡緩和過程の統計物理」報告,研究会報告)
- 1a-KC-1 超格子・超構造の電子格子相互作用
- 14a-E-22 半導体のバリスティック効果 II
- 29p-N-13 半導体のバリスティック効果
- 1a-Pα-2 半導体のバリスティック効果
- 5a-NL-17 高電界下の非線型伝導
- 1a-K-5 高電界下の非線型伝導
- 3p-B-2 高電界下の非線型伝導
- 3a-B-11 ZnSの高電界伝導 II
- 11a-P-2 高電界下の非線型伝導
- 宇宙空間での球状結晶成長の計算機シミュレーション : 基礎
- 2p-L1-10 半導体超格子のホットエレクトロン-II(半導体,(表面・界面・超格子))
- 28a-G-5 二重量子井戸構造における実空間遷移の計算機シミュレーション(28aG 半導体(表面・界面・超格子))
- 29a-G-6 二重量子井戸構造における光吸収(29aG 半導体(超格子))