ウェーハレベルチップスケールパッケージの薄膜配線におけるビア接続抵抗に関する評価と考察(集積エレクトロニクス)
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概要
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ウェーハレベルチップスケールパッケージ(WLCSP)の薄膜配線におけるビア接続抵抗の評価を行い, ビア接続部分における接続抵抗値を支配する要因を明らかにした.この評価では, WLCSPのI/O電極を再配列する薄膜配線の金属材料構成を変化させた試料の配線抵抗値と, その薄膜金属をI/O電極のビア接続部分に堆積させた試料の接続抵抗値の測定をアニール前後で行い, 薄膜金属の電気抵抗率とビア接続部分における接続抵抗値について, 薄膜金属と金属膜厚依存性を求めた.その結果, アニール後のビア接続部分における接続抵抗値は, 薄膜金属とその膜厚に対して支配的な挙動を有することが明らかになり, ビア接続部分に形成される壁面配線抵抗値と比例関係を有することが分かった.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-05-01
著者
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