Au-Al固相拡散接合における接合安定化に関する研究
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概要
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Auバンプを備えたチップとAl膜厚のみを変えた基板を用いて, Au-Al固相拡散接合を行うことで, 初期の接合強度を同じにする一方, 接合時に形成されるAu-Al金属間化合物を変えることにより, 形成された金属間化合物と接合信頼性の関係を明らかにした.Al膜厚が350nmと1, 000nmの基板に同じ条件でICを実装した試料を125℃で1, 000時間放置し, 接合強度・接合抵抗の測定を行った結果, 接合直後には両者に有意差は認められなかった.しかし, 1, 000時間後にはAl膜厚が350nmの試料では安定な接続が得られたのに対し, 1, 000nmの試料では接合強度の低下や接続抵抗の増加が見られた.高温雰囲気における信頼性の違いは, 接合時に形成されるAu-Al金属間化合物の違いと未反応のAlの存在の有無によると推定される.つまり, Al膜厚350nmの試料では接合時に接合部にはAlが存在せずに最終生物であるAu_4Alが支配的に形成されているのに対し, 1, 000nmの試料では接合部にAlが存在し, また複数のAu-Al金属間化合物が形成されており, 高温雰囲気で拡散反応が進行する過程で劣化することがわかった.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-07-25
著者
-
森 三樹
(株)東芝
-
斎藤 雅之
(株)東芝 材料・デバイス研究所
-
飯田 敦子
(株)東芝材料・デバイス研究所
-
森 三樹
(株)東芝材料・デバイス研究所
-
福田 由美
(株)東芝材料・デバイス研究所
-
木崎 幸男
(株)東芝材料・デバイス研究所
-
斉藤 雅之
(株)東芝材料・デバイス研究所
-
斉藤 雅之
(株)東芝 材料・デバイス研究所
-
木崎 幸男
株式会社東芝材料・デバイス研究所
-
斎藤 雅之
(株)東芝材料・デバイス研究所
-
飯田 敦子
(株)東芝 研究開発センター
-
木 三樹
(株)東芝材料・デバイス研究所
-
齊藤 雅之
東芝
-
齊藤 雅之
(株)東芝材料・デバイス研究所
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