電気めっき法による微細はんだバンプ形成技術

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概要

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• 近年電子機器の小形化、高速化が進み、高密度・高速実装技術が求められている。なかでもフリップチップ実装は有力技術の一つであり研究開発が活発に行われている。そこで今回電気めっき法を用いて、フリップチップ実装に用いるはんだバンプ形成技術の開発を行った。電気めっき法は堆積速度が大きく、装置が簡略な特徴があるが、合金めっきの場合Sn-Pbはんだの組成制御が課題であった。本報告では電気化学的手法を用いてはんだ組成の制御を行い、組成が±5%以内に制御が可能になった。さらにこの技術を使って実際に80μmピッチのバンプを形成し、接続信頼性を評価した。その結果基板上のパッドメタルのCuを厚くすることにより、接続信頼性が向上することを確認した。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 1993-10-18

著者

• 斉藤 雅之

  (株)東芝 材料・デバイス研究所

• 斎藤 雅之

  (株)東芝材料・デバイス研究所

• 本間 荘一

  東芝研究開発センター

• 山田 満

  東芝研究開発センター

• 宮城 武史

  東芝研究開発センター

• 斉藤 雅之

  東芝研究開発センター

• 齊藤 雅之

  東芝

• 本間 荘一

  株式会社東芝半導体生産技術推進センター

• 齊藤 雅之

  (株)東芝材料・デバイス研究所

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