山口 好広 | (株)東芝 先端半導体デバイス研究所
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概要
関連著者
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山口 好広
(株)東芝 先端半導体デバイス研究所
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著作論文
- 磁界プローブによるVRMボード表面実装パワーMOSFETの非破壊電流測定法
- SIPOS膜を挟んだSOI基板を用いた1200V素子の電気特性
- 横型SOI高速ダイオードの逆回復特性
- 高耐圧60V SOI DMOSFET
- 磁界プローブによるVRMボード表面実装パワーMOSFETの非破壊電流測定法