S帯内部整合型E級GaN HEMT増幅器(一般講演)
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概要
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GaN HEMTを用いてS帯内部整合型E級増幅器の設計・試作をした.スイッチ動作による高効率動作として時間領域で説明されるE級動作増幅器を周波数領域により設計を行い,入出力整合回路のすべてをパッケージに入れた.ドレーン電圧22Vでパルス動作による測定を行った結果,2.6GHzでドレーン効率72.3%,出力電力100W,2.55GHzから2.85GHzでドレーン効率70%以上を実現した.またドレーン電圧18Vでは,2.7GHzでドレーン効率の最大値は78.1%で出力電力60W,2.5GHzから2.9GHzでドレーン効率70%以上を実現した.
- 2009-10-15
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