脱離温度近傍で形成されるSi(001)表面上のBiの新構造I
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概要
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- 社団法人日本物理学会の論文
- 1996-09-13
著者
-
Pettifor D.G.
オックスフォード大・材料
-
Bowler D.r.
オックスフォード大学
-
三木 一司
電総研
-
Owen J.H.G.
オックスフォード大
-
Briggs G.A.D.
オックスフォード大
-
三木 一司
電子技術総合研究所
-
三木 一司
物材・材料研究機構 ナノマテリアル研究所
-
Pettifor D.g.
オックスフォード大
-
Owen J.h.g.
オックスフォード大学
-
Briggs G.a.d.
オックスフォード大学
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