走査型トンネル顕微鏡によるシリコン表面の動的観察

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 応用物理学会の論文
• 1993-08-10

著者

• 三木 一司

  電総研

• 三木 一司

  電子技術総合研究所

• 徳本 洋志

  融合研

• 徳本 洋志

  アトムテクノロジー研究体-産業技術融合領域研究所

• 徳本 洋志

  アトムテクノロジー研究体

関連論文

• 30aRD-1 Si(110)-(16×2)表面の電子状態(30aRD 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 第51回応用物理学関係連合講演会(2004年)
• 13aTJ-9 SiO_2/Si 界面下に誘起されたメゾスコピックスケール歪みの解明 : 位相敏感 X 線回折法による(X 線・粒子線 : X 線, 領域 10)
• 14pXG-10 SiO_2/Si 界面下に誘起された歪み場中の静的構造揺らぎ(表面界面構造 : 半導体, 領域 9)
• SiO_2/Si界面下に誘起された格子歪み : 位相敏感X線回折法による(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• 位相敏感X線回折法によるSiO_2/Si界面以下の微小歪みの測定(極薄ゲート絶縁膜・シリコン界面の評価技術・解析技術)
• 19aTH-5 多波回折を利用したSiO_2/Si界面付近の微小歪みの測定
• 25a-K-13 Si中のBi細線の電子顕微鏡観察
• 脱離温度近傍で形成されるSi(001)表面上のBiの新構造I
• 脱離温度近傍で形成されるSi(001)表面上のBiの新構造 II
• 23pWB-8 Si(001)表面上のビスマス原子細線の構造 II : 構造の理論的検討と輸送・熱電特性制御への展開
• Si-Ge系多重量子井戸構造薄膜の熱電特性
• 小型走査電子顕微鏡用カーボンナノチューブ電子銃の安定性評価
• 走査プローブ顕微鏡による表面原子・分子化学分析
• 原子操作と識別技術
• 探針に吸着させた原子種の同定
• 25p-YM-3 原子操作によりSiを捕獲したSTM探針のFIM観察
• 6p-B-12 原子操作によるタングステンシリサイド形成
• 30p-E-10 Asを高ドープしたSi(001)の表面構造
• タングステン上の重水素の吸着
• 14a-W-2 Bi-2223薄膜の変調構造
• 26a-Y-2 Si(001)表面上ダイマー欠陥のダイナミックス
• 25pW-1 SI(001)表面上ビスマス細線構造(1) : 構造解析
• 3a-B4-5 UHV-STMによるSi表面の観察(III)
• 27a-P-7 UHV-STMによるSi清浄表面の観察
• 半導体デバイス解析用局所プラズマ加工装置の開発
• 応用物性
• 応用物性
• 原子的に平坦化されたSi(111)表面へのCuナノ細線の形成と原子間力顕微鏡およびフーリエ変換赤外分光法による評価
• 19pPSB-35 H_2Oの2分子解離吸着によるSi(100)-(2x1)表面上でのC欠陥生成
• 水素化シリコン系薄膜の成長初期過程-走査トンネル顕微鏡によるナノスケール観察-
• 6a-T-4 Si(111)劈開面のSTM観察
• X線逆格子イメージング法を用いた表界面ナノ構造評価
• 23pWB-7 Si(001)表面上のビスマス原子細線の構造 I. : X線定在波法による界面構造解析
• 低エネルギー電子照射による結晶欠陥の原子レベル回復現象
• 30a-ZF-4 Si(111)表面上のステップ間相互作用の実時間観察
• 29p-BPS-39 Si(111)原子ステップ移動の実時間STM
• 29p-BPS-38 高温STMによるSi(111)傾斜表面上の再配列構造の観察
• 27p-E-5 STMによるSi(111)傾斜表面上での相転移観察
• 27p-E-4 Si(111):1x1-7x7相転移の実時間STM
• 30a-Z-9 Ge/Si歪超格子のエレクトロリフレクタンス
• 2a-T-8 Si(111)劈開面のSTM像と構造モデル
• 24aY-8 低温STMによるSi(001)上に吸着されたXe原子の観察
• 低温STMの開発
• 14p-DH-11 Si(111)-√×√R30°におけるアドアトムの再配列
• 走査型トンネル顕微鏡によるシリコン表面の動的観察
• STMによるSi(111) : (1×1)-(7×7)構造相転移の研究
• 1a-H-10 Si(111)表面における水素脱離 : STM実時間観察
• 30p-H-4 Si(001)3°オフ基板表面のSTM観察
• 25a-Y-11 Si(111)表面の水素脱離過程 : 中間温度域の√×√-R30
• 30a-ZF-5 Si(111)表面上のSiH_3の局所構造
• 30p-BPS-4 HF処理Si(111):SiH_3相のSTM
• 24p-R-4 Si(111)表面の[112]ステップ形成機構
• 24p-R-2 STMによるSi成長表面の研究
• HF処理Si表面の観察 (走査プロ-ブ顕微鏡の最前線)
• 6a-T-3 Si(111)表面のテラス・原子ステップ挙動のSTM観察
• 超高真空走査トンネル顕微鏡による水素終端シリコン表面の観察
• 25aWB-2 UHV-STMを用いたSi(111)-3/4×3/4:N(quadruplet)表面の構造解析
• 22pT-6 UHV-STMを用いたSi(111)-8x8:N表面の構造解析
• 水素終端シリコン表面の形成
• 2p-YD-13 STMを用いたSi(111)-1×1:Hからの水素脱離II
• 溶液処理を用いたシリコン(001)表面の平坦化
• 水素終端Si (001) 基板上での銅フタロシアニン配向制御
• 5a-B-9 STMを用いたSi(111)-1x1:Hからの水素脱離
• STMで見た単結晶Si表面のH原子パッシベーション構造
• 水素終端Si(111)上における銅フタロシアニン分子配列のSPM観察
• HF変性Si表面
• Si表面で形成されるBi細線の電子顕微鏡観察
• 25pW-2 Si(001)表面上ビスマス細線構造(2) : 元素置換技術
• 12p-DL-6 Si/Ge/Siヘテロエピタキシャル成長に及ぼすBi, Sbの影響
• 30a-ZB-1 Si/Ge/Si(001)ヘテロ構造に及ぼすsurfactantの効果の電子顕微鏡観察
• Si表面のSTMによる観察 (超格子素子基礎技術) -- (極薄膜ヘテロ界面の構造と特性評価)
• シリコンの位相制御エピタキシ- (超格子素子基礎技術) -- (単原子層精度の結晶成長技術--位相制御エピタキシ-(PLE)法)
• DNAテンプレートを利用する金属ナノアレイの調製
• 30p-N-6 高温STMを用いた表面インデンテーションによるシリコンの細線の作成とその電気伝導評価
• 26a-O-11 Cs/Graphite(0001)の低速電子エネルギー損失スペクトル、オージェ電子スペクトル
• 2p-S-4 C_8Kの清浄劈開面の表面活性
• 4a-KH-8 C_8Kのエネルギー損失スペクトルII
• 12a-E-6 C_8Kのエネルギー損失スペクトル
• 30a-Y-11 グラファイトのエネルギー損失分光
• 27aYM-7 プローブ顕微鏡法による半導体格子欠陥・ナノ構造の形成初期過程(領域10, 領域4合同格子欠陥・ナノ(半導体),領域10(誘電体, 格子欠陥, X線・粒子線, フォノン物性))
• 18aWD-5 オゾンによるSi(111)表面のナノスケールサイト選択酸化
• 化合物半導体上に形成した自己組織化単分子膜とそのナノ構造
• 27a-S-3 Si(001)off基板の成長メカニズム
• 溶媒蒸発により伴われるDNAのナノファイバ形成
• 極低温STM関連技術と今後の展望
• Ge/Si歪超格子 (超格子素子基礎技術) -- (新超格子材料の開発)
• 表面分析技術としてのSPM技術
• 3.8 Si (001) 上の単原子層ステップとMBE成長
• シリコン(001)表面の欠陥構造 (表面エレクトロニクスに関する調査報告) -- (表面形成と微視構造)
• SPMの原理と今後の可能性について : 究極探針と原子・分子識別
• 半導体デバイス解析用局所プラズマ加工装置の開発(4) : プラズマ加工中の温度精密計測
• 半導体デバイス解析用局所プラズマ加工装置の開発(3) : 四重極質量分析による加工モニタリング
• 24aCE-1 X線多波回折現象を利用したX線照射効果のその場観察(24aCE X線・粒子線(X線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• Si/Ge歪超格子の微細構造と光学的性質
• 1p-F4-6 Si(001)微傾斜面の成長機構(主題:表面の成長過程,表面・界面シンポジウム)
• タイトル無し
• 31p-F4-13 UHV-STMによるSi表面の観察(II)(表面・界面)
• 29p-TC-10 Si(111)7x7表面への酸素吸着過程のSTM観察(29pTC 表面・界面)
• 29p-TC-8 Si(001)2x1表面のSTM観察(29pTC 表面・界面)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク