25pW-2 Si(001)表面上ビスマス細線構造(2) : 元素置換技術
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1999-09-03
著者
-
坂本 邦博
電総研
-
三木 一司
電総研
-
三木 一司
電子技術総合研究所
-
Bowler R.D.
オックスフォード大
-
Owen G.H.J
オックスフォード大
-
Briggs D.A.G
オックスフォード大
関連論文
- 30aRD-1 Si(110)-(16×2)表面の電子状態(30aRD 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 第51回応用物理学関係連合講演会(2004年)
- 27p-ZS-9 シンクロトロン放射角度分解光電子分光法によるSi(001)2x1-Na表面の研究
- 13aTJ-9 SiO_2/Si 界面下に誘起されたメゾスコピックスケール歪みの解明 : 位相敏感 X 線回折法による(X 線・粒子線 : X 線, 領域 10)
- 14pXG-10 SiO_2/Si 界面下に誘起された歪み場中の静的構造揺らぎ(表面界面構造 : 半導体, 領域 9)
- SiO_2/Si界面下に誘起された格子歪み : 位相敏感X線回折法による(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 位相敏感X線回折法によるSiO_2/Si界面以下の微小歪みの測定(極薄ゲート絶縁膜・シリコン界面の評価技術・解析技術)
- 19aTH-5 多波回折を利用したSiO_2/Si界面付近の微小歪みの測定
- 25a-K-13 Si中のBi細線の電子顕微鏡観察
- 脱離温度近傍で形成されるSi(001)表面上のBiの新構造I
- 脱離温度近傍で形成されるSi(001)表面上のBiの新構造 II
- 23pWB-8 Si(001)表面上のビスマス原子細線の構造 II : 構造の理論的検討と輸送・熱電特性制御への展開
- Si-Ge系多重量子井戸構造薄膜の熱電特性
- 26a-Y-2 Si(001)表面上ダイマー欠陥のダイナミックス
- Si基板上に製作したAu/n-Geショットキー障壁ダイオードの電気的特性
- 25pW-1 SI(001)表面上ビスマス細線構造(1) : 構造解析
- 3a-B4-5 UHV-STMによるSi表面の観察(III)
- 27a-P-7 UHV-STMによるSi清浄表面の観察
- 応用物性
- 応用物性
- 原子的に平坦化されたSi(111)表面へのCuナノ細線の形成と原子間力顕微鏡およびフーリエ変換赤外分光法による評価
- 19pPSB-35 H_2Oの2分子解離吸着によるSi(100)-(2x1)表面上でのC欠陥生成
- 水素化シリコン系薄膜の成長初期過程-走査トンネル顕微鏡によるナノスケール観察-
- 6a-T-4 Si(111)劈開面のSTM観察
- サ-ファクタントを利用したSi/Ge/Si(001)ヘテロエピタキシャル成長
- 直流通電加熱によるSi(001)原子層平坦面の位置制御
- 反射高速電子線回折(RHEED)とエピタキシャル成長
- 30a-PS-14 Ge/Si(001)のSTM観察I : 高温吸着(≧350℃)
- 30a-PS-13 Ge/Si(001)のSTM観察II : 室温吸着
- X線逆格子イメージング法を用いた表界面ナノ構造評価
- 23pWB-7 Si(001)表面上のビスマス原子細線の構造 I. : X線定在波法による界面構造解析
- 低エネルギー電子照射による結晶欠陥の原子レベル回復現象
- 30a-ZF-4 Si(111)表面上のステップ間相互作用の実時間観察
- 29p-BPS-39 Si(111)原子ステップ移動の実時間STM
- 29p-BPS-38 高温STMによるSi(111)傾斜表面上の再配列構造の観察
- 27p-E-5 STMによるSi(111)傾斜表面上での相転移観察
- 27p-E-4 Si(111):1x1-7x7相転移の実時間STM
- 30a-D-11 表面敏感EXAFSによる単原子界面層の構造解析 (I) : Si/Ge/Si
- 30a-Z-9 Ge/Si歪超格子のエレクトロリフレクタンス
- 2a-T-8 Si(111)劈開面のSTM像と構造モデル
- 14p-DH-11 Si(111)-√×√R30°におけるアドアトムの再配列
- 走査型トンネル顕微鏡によるシリコン表面の動的観察
- STMによるSi(111) : (1×1)-(7×7)構造相転移の研究
- 1a-H-10 Si(111)表面における水素脱離 : STM実時間観察
- 30p-H-4 Si(001)3°オフ基板表面のSTM観察
- 25a-Y-11 Si(111)表面の水素脱離過程 : 中間温度域の√×√-R30
- 30a-ZF-5 Si(111)表面上のSiH_3の局所構造
- 30p-BPS-4 HF処理Si(111):SiH_3相のSTM
- 24p-R-4 Si(111)表面の[112]ステップ形成機構
- 24p-R-2 STMによるSi成長表面の研究
- HF処理Si表面の観察 (走査プロ-ブ顕微鏡の最前線)
- 6a-T-3 Si(111)表面のテラス・原子ステップ挙動のSTM観察
- Si表面で形成されるBi細線の電子顕微鏡観察
- 25pW-2 Si(001)表面上ビスマス細線構造(2) : 元素置換技術
- 12p-DL-6 Si/Ge/Siヘテロエピタキシャル成長に及ぼすBi, Sbの影響
- 30a-ZB-1 Si/Ge/Si(001)ヘテロ構造に及ぼすsurfactantの効果の電子顕微鏡観察
- Si表面のSTMによる観察 (超格子素子基礎技術) -- (極薄膜ヘテロ界面の構造と特性評価)
- シリコンの位相制御エピタキシ- (超格子素子基礎技術) -- (単原子層精度の結晶成長技術--位相制御エピタキシ-(PLE)法)
- DNAテンプレートを利用する金属ナノアレイの調製
- 26a-O-11 Cs/Graphite(0001)の低速電子エネルギー損失スペクトル、オージェ電子スペクトル
- 2p-S-4 C_8Kの清浄劈開面の表面活性
- 4a-KH-8 C_8Kのエネルギー損失スペクトルII
- 12a-E-6 C_8Kのエネルギー損失スペクトル
- 30a-Y-11 グラファイトのエネルギー損失分光
- 14a-DH-12 Si(001)上のGe成長I「その場」表面敏感XAFSによる研究
- 14a-DH-9 Si(001)上のGe成長IIサーファクタントエピタキシーと界面構造
- 27aYM-7 プローブ顕微鏡法による半導体格子欠陥・ナノ構造の形成初期過程(領域10, 領域4合同格子欠陥・ナノ(半導体),領域10(誘電体, 格子欠陥, X線・粒子線, フォノン物性))
- 18aWD-5 オゾンによるSi(111)表面のナノスケールサイト選択酸化
- 27a-S-3 Si(001)off基板の成長メカニズム
- 溶媒蒸発により伴われるDNAのナノファイバ形成
- 結晶成長におけるサ-ファクタントの効果
- 30a-L-1 MBE成長Si/Ge歪超格子薄膜の電子顕微鏡観察
- 29p-W-10 GeSi超格子の構造
- 29p-C-5 表面敏感XAFSからみた2次元成長 : SiGe超格子を中心として
- RHEEDとその場観察 (キャラクタリゼ-ション技術の新しい展開--ナノ-サブナノ領域材料評価技術)
- 4a-PS-27 表面敏感XAFSによるGe_nSi_m超格子の研究III. : 局所構造の基板温度依存性
- 4a-PS-26 表面敏感XAFSによるGe_nSi_m超格子の研究VI. : n=2の特異な電子状態
- Ge/Si歪超格子 (超格子素子基礎技術) -- (新超格子材料の開発)
- 3.8 Si (001) 上の単原子層ステップとMBE成長
- MBE法による原(分)子層エピタキシ- (化合物半導体のエピタキシャル成長技術--結晶成長技術の最先端-2-)
- シリコン(001)表面の欠陥構造 (表面エレクトロニクスに関する調査報告) -- (表面形成と微視構造)
- 24aCE-1 X線多波回折現象を利用したX線照射効果のその場観察(24aCE X線・粒子線(X線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- Si/Ge歪超格子の微細構造と光学的性質
- 1p-F4-6 Si(001)微傾斜面の成長機構(主題:表面の成長過程,表面・界面シンポジウム)
- タイトル無し
- 31p-F4-13 UHV-STMによるSi表面の観察(II)(表面・界面)
- 29p-TC-10 Si(111)7x7表面への酸素吸着過程のSTM観察(29pTC 表面・界面)
- 29p-TC-8 Si(001)2x1表面のSTM観察(29pTC 表面・界面)
- 28a-G-8 Si/Ge超格子の表面敏感EXAFS(28aG 半導体(表面・界面・超格子))