MBE法による原(分)子層エピタキシ- (化合物半導体のエピタキシャル成長技術--結晶成長技術の最先端-2-<特集>)
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
- 27p-ZS-9 シンクロトロン放射角度分解光電子分光法によるSi(001)2x1-Na表面の研究
- 25a-K-13 Si中のBi細線の電子顕微鏡観察
- 23pWB-8 Si(001)表面上のビスマス原子細線の構造 II : 構造の理論的検討と輸送・熱電特性制御への展開
- Si-Ge系多重量子井戸構造薄膜の熱電特性
- Si基板上に製作したAu/n-Geショットキー障壁ダイオードの電気的特性
- 27a-P-7 UHV-STMによるSi清浄表面の観察
- サ-ファクタントを利用したSi/Ge/Si(001)ヘテロエピタキシャル成長
- 直流通電加熱によるSi(001)原子層平坦面の位置制御
- 反射高速電子線回折(RHEED)とエピタキシャル成長
- 30a-PS-14 Ge/Si(001)のSTM観察I : 高温吸着(≧350℃)
- 30a-PS-13 Ge/Si(001)のSTM観察II : 室温吸着
- 30a-D-11 表面敏感EXAFSによる単原子界面層の構造解析 (I) : Si/Ge/Si
- 30a-Z-9 Ge/Si歪超格子のエレクトロリフレクタンス
- 30p-H-4 Si(001)3°オフ基板表面のSTM観察
- 6a-T-3 Si(111)表面のテラス・原子ステップ挙動のSTM観察
- Si表面で形成されるBi細線の電子顕微鏡観察
- 25pW-2 Si(001)表面上ビスマス細線構造(2) : 元素置換技術
- 12p-DL-6 Si/Ge/Siヘテロエピタキシャル成長に及ぼすBi, Sbの影響
- 30a-ZB-1 Si/Ge/Si(001)ヘテロ構造に及ぼすsurfactantの効果の電子顕微鏡観察
- シリコンの位相制御エピタキシ- (超格子素子基礎技術) -- (単原子層精度の結晶成長技術--位相制御エピタキシ-(PLE)法)
- 14a-DH-12 Si(001)上のGe成長I「その場」表面敏感XAFSによる研究
- 14a-DH-9 Si(001)上のGe成長IIサーファクタントエピタキシーと界面構造
- 27a-S-3 Si(001)off基板の成長メカニズム
- 結晶成長におけるサ-ファクタントの効果
- 30a-L-1 MBE成長Si/Ge歪超格子薄膜の電子顕微鏡観察
- 29p-W-10 GeSi超格子の構造
- 29p-C-5 表面敏感XAFSからみた2次元成長 : SiGe超格子を中心として
- RHEEDとその場観察 (キャラクタリゼ-ション技術の新しい展開--ナノ-サブナノ領域材料評価技術)
- 4a-PS-27 表面敏感XAFSによるGe_nSi_m超格子の研究III. : 局所構造の基板温度依存性
- 4a-PS-26 表面敏感XAFSによるGe_nSi_m超格子の研究VI. : n=2の特異な電子状態
- MBE法による原(分)子層エピタキシ- (化合物半導体のエピタキシャル成長技術--結晶成長技術の最先端-2-)
- 1p-F4-6 Si(001)微傾斜面の成長機構(主題:表面の成長過程,表面・界面シンポジウム)
- 31p-F4-13 UHV-STMによるSi表面の観察(II)(表面・界面)
- 28a-G-8 Si/Ge超格子の表面敏感EXAFS(28aG 半導体(表面・界面・超格子))