水素終端Si(111)上における銅フタロシアニン分子配列のSPM観察
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概要
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平坦な水素終端Si(111)上でのCuPc薄膜成長の初期過程をMBE-STM複合装置等を用いて調べた。その結果、基板温度60℃においては、単分子層相当の吸着量では分子は無秩序に吸着しており数分子層吸着すると基板面内で規則的な2次元格子を組む、また、基板温度140℃以上では成長の極初期から高さ10nm以上の結晶核が発生し、他の領域では分子はまばらに吸着していることが判った。このことは、分子カラムが膜厚方向に数分子層以上成長することが面内の規則的な配列のための必要条件であることを示唆する。一方、表面格子の対称性および物理吸着系であることが同じであるMoS_2基板上においては、規則的な2次元配列を持つ単分子膜が観察された。この違いは分子の表面拡散に対するエネルギー障壁の違いにより説明できる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-07-05
著者
-
徳本 洋志
アトムテクノロジー研究体-産業技術融合領域研究所
-
中村 雅一
アトムテクノロジー研究体(jrcat)オングストロームテクノロジ研究機構:(現)(株)東レリサーチセンター 表面科学研究部
-
森田 行則
アトムテクノロジー研究体-産業技術融合領域研究所
-
徳本 洋志
産業技術融合領域研究所
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