29p-C-2 RHEED振動法によるMBEの原子層成長制御
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1986-09-12
著者
関連論文
- 論文の読み方〔I〕
- 30p-H-4 Si(001)3°オフ基板表面のSTM観察
- 6a-T-3 Si(111)表面のテラス・原子ステップ挙動のSTM観察
- 30a-ZB-1 Si/Ge/Si(001)ヘテロ構造に及ぼすsurfactantの効果の電子顕微鏡観察
- 量子化機能素子の概要
- 29p-C-2 RHEED振動法によるMBEの原子層成長制御
- 29p-C-5 表面敏感XAFSからみた2次元成長 : SiGe超格子を中心として
- 薄膜成長とRHEED強度振動 -RHEED振動はなぜ起こるのかー
- 広く浅く ( 論文の読み方[1])
- 次世代エレクトロニクスを展望する
- Si/Ge歪超格子の微細構造と光学的性質
- タイトル無し