桑原 裕司 | 理研 SPring-8
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
桑原 裕司
理研 SPring-8
-
大柳 宏之
電総研
-
山口 博隆
産総研
-
大柳 宏之
通商産業省工業技術院電子技術総合研究所電子基礎部
-
山口 博隆
電総研
-
青野 正和
理研
-
西原 美一
電総研
-
高橋 敏男
東大物性研
-
中谷 信一郎
東大物性研
-
齋藤 彰
大阪大学大学院工学研究科
-
斉藤 彰
大阪大学基礎工学部精密科学
-
山谷 和彦
北大院工
-
山谷 和彦
北大工
-
岡島 吉俊
北大工
-
田口 幸広
阪府大院工
-
石川 哲也
理研 SPring-8
-
菊田 惺志
東大工
-
齋藤 彰
理研 SPring-8
-
青野 正和
大阪大学大学院工学研究科
-
庄野 安彦
東北大金研
-
庄野 安彦
東北大学金属材料研究所
-
石川 哲也
理化学研究所放射光科学総合研究センター
-
坂本 邦博
電総研
-
坂本 統徳
電総研
-
塩田 隆
電総研
-
清水 富士夫
電通大レーザー量子・物質
-
桑原 祐司
理研
-
山谷 和彦
北大・理
-
塩田 隆
電子技術総合研究所
-
斎藤 彰
大阪大学大学院工学研究科
-
菊田 惺志
(財)高輝度光科学研究センター
-
青野 正和
大阪大学大学院工学研究科精密科学専攻
-
斉藤 彰
東大工
-
齋藤 彰
理研 Sprine-8:大阪大院工:科学技術振興機構icorp
-
竹田 美和
名大工
-
辛 埴
理研 SPring-8
-
石川 哲也
理化学研究所
-
田中 義人
理化学研究所X線自由電子レーザー計画推進本部
-
石川 哲也
独立行政法人理化学研究所播磨研究所
-
石橋 広記
阪府大院理
-
北本 克征
阪府大院工
-
真鍋 賢
阪大院工
-
高橋 浩史
阪大院工
-
広常 慎治
広大院理
-
田中 義人
理研 SPring-8
-
青野 正和
阪大院工
-
青野 正和
物材機構mana
-
常盤 文子
東北大金研
-
常磐 文子
東北大・金研
-
高木 康多
理研 SPring-8
-
中島 理
東北大・金研,理学部
-
片山 利一
電総研
-
片山 利一
新機能素子研究開発協会
-
横山 侑子
電総研
-
伊原 英雄
電総研
-
高橋 浩史
大阪大学大学院工学研究科
-
中島 理
カシオ計算機
-
田中 義人
(独)理化学研究所播磨研究所 放射光科学総合研究センター
-
花井 和久
理化学研究所・播磨研究所
-
細川 博正
大阪大学大学院工学研究科
-
石川 哲也
理化学研究所播磨研究所x線干渉光学研究室
-
川浪 仁志
電総研
-
花井 和久
大阪府大院工
-
細川 博正
大阪大院工
-
石橋 広記
大阪府大院理
-
田口 幸広
大阪府大院工
-
高木 康多
理化学研究所播磨研究所
-
石川 哲也
(独)理化学研究所・播磨研究所・放射光科学総合研究センター
-
中島 理
東北大・金研 理学部
-
芳賀 孝吉
住友電気
-
亀井 英徳
住友電気
-
石橋 広記
阪府大理
-
横山 郁子
電総研大
-
大柳 宏之
電総研大
-
山口 博隆
電総研大
-
伊賀 文俊
電総研大
-
片山 敏一
電総研大
-
西原 美一
電総研大
-
北本 克征
阪府大院工:理研量子ナノ
著作論文
- 24pWB-9 放射光STMの開発 : 実空間・原子スケールでの元素識別への試み(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- PbBaSrYCu_3O_yおよびPbBaSr(Y,Ca)Cu_3O_yのX線吸収スペクトル
- Nd_Ce_xCuO_の電子状態 : 酸素効果
- 23pWG-1 層状ペロブスカイト型マンガン酸化物La_Sr_MnO_4表面の低温STM測定(Mn酸化物,領域8,強相関係:高温超伝導,強相関f電子系など)
- 27p-PS-66 TI_2Ba_2CuO_6の局所構造
- 13a-PS-48 1ML InP _As_x超薄膜の組成依存性におけるIn-As結合長異常
- 27a-PS-40 YBaCu_3O_yおよびCaLaBaCu_3O_yの酸素欠陥と超伝導
- 28p-PS-27 CaLaBaCu_3O_yの局所構造と超伝導
- 25a-ZG-6 Si(100)上のGeAs初期成長 : (1)As成長温度依存性
- 5a-PS-21 X線回折法によるSi(111)√3x√3-Gaの構造解析
- 5a-PS-20 X線回折法によるSi(111)√3x√3-Sbの構造解析
- La_Sr_xCuO_およびNd_Ce_xCuO_の局所構造と超伝導
- 28p-PSB-37 X線の絶対反射率測定による表面構造解析
- 4a-PS-27 表面敏感XAFSによるGe_nSi_m超格子の研究III. : 局所構造の基板温度依存性
- 4a-PS-26 表面敏感XAFSによるGe_nSi_m超格子の研究VI. : n=2の特異な電子状態