NEA-GaAs表面の昇温脱離法による解析
スポンサーリンク
概要
著者
-
宮尾 正大
静大電子研
-
野村 卓志
静岡大学電子工学研究所
-
萩野 実
静岡大学電子工学研究所
-
和田 達明
静岡大学大学院電子科学研究科
-
宮尾 正大
仙台電波高等専門学校
-
和田 達明
茨城大学工学部電気電子工学科
-
和田 達明
茨城大学工学部
-
宮尾 正大
静岡大
関連論文
- 4a-E-5 Si(111)2×1上のCs吸着状態
- 六方晶系グラファイト表面原子のSTM観察
- 電界イオン-走査型トンネル複合顕微鏡の製作とその性能
- インタ-ネットとパ-リテキストの活用
- 中期インド・アリアン聖典の計算機解析-11-韻律解析の全体像と韻律の分類表示について
- NEA GaAs光電面に対する残留ガスの影響
- NEA-GaAs表面の昇温脱離法による解析
- 量子力学における汎関数法
- ZnSeのMBE成長機構
- カリウム添加Ag-O-Cs光電面の研究
- RHEED強度振動測定装置の開発
- 分子線エピタキシ法によるGaAs_xP_1-x混晶成長の組成比制御
- GaAs表面超構造のMBE成長条件依存性による実効的As/Ga比の決定
- MBE成長ヘテロエピタキシャル層格子歪の評価
- GaAs/GaP, GaP/GaAsヘテロ接合における成長層の格子歪 : エピタキシー
- GaP表面上へのアルカリ金属の吸脱着(速報) (第25回真空に関する連合講演会プロシ-ディングス--昭和59年10月29日〜31日)
- 半導体表面に吸着したアルカリ金属の状態と光電面の大出力マイクロ波発生装置への応用
- MBE成長GaAs/GaP,GaP/GaAsヘテロ接合の格子歪
- マルチホール分子線源
- MBE法によるGaP基板上のGaAs成長
- 最近のMBEとその応用
- 2a-BB-3 レーザーとフォトカソードを用いた新マイクロ波源「レーザートロン」
- 12p-Y-5 Si(100)へのアルカリ(Li,Na,K,Cs)吸着
- 分子線エピタキシャル成長した半導体表面観察用STM装置
- 制御電子回路の雑音除去による走査トンネル顕微鏡の画質改善
- アルコキシド法により作成したPZT圧電アクチュエータ
- GaP系NEA冷陰極
- ZnTeの電気的光学的諸特性
- Cs-Sb光電面内の欠陷とCs圧との熱平衡
- 3-6 Sb-K-Cs光電陰極の試作
- SOR法による印加電界分布の計算に関する研究
- 高指数面NEA光電面の研究
- SOR法による印加電界分布の計算に関する研究
- 高指数面NEA光電面の研究
- Coherent Detection法による分極構造の観察
- MBE法によるInGaAs/GaAs MQWの作製と評価
- Coherent Detection法による分極構造の観察
- 4a-RJ-10 Si(111)2×1へのCs吸着に伴う表面電子状態の変化
- 2a-BB-4 レーザートロン用 フォトカソード
- 12p-Y-6 Cs/Si(111)2×1系の光電子スペクトル
- 7)NEAGaP冷陰極(テレビジョン電子装置研究会(第85回))
- 9)GaP系冷陰極のライフテスト(〔テレビジョン電子装置研究会(第80回)画像表示研究会(第37回)〕合同)
- 19)GaP系NEA冷陰極(テレビジョン電子装置研究会(第78回)画像表示研究会(第34回))
- 2-3 GaPによるNEA冷陰極
- PZT圧電アクチュエータの低ヒステリシス化
- アルコキシド法により合成したチタン酸鉛超微粒子の焼成過程
- AES-LEEDによるGaP表面の研究
- Control of Pre-Tilt Angles of Liquid Crystal Molecules Using a Chemically Adsorbed Monomolecular Layer as an Alignment Film in Liquid Crystal Cells
- Applications of a Chemically Adsorbed Monomolecular Layer Having a Fluorocarbon Chain as an Anti-Contamination Film
- A Liquid Crystal Display Having a Rubbing-Free Photo-Aligned Monomolecular Layer as an Alignment Film
- Humidity Sensor Using Surface Acoustic Wave Delay Line with Hygroscopic Dielectric Film
- Measurement of Humidity Using Surface Acoustic Wave Device
- Liquid Sensor Using Two-Port Surface Acoustic Wave Resonator : Ultrasonic Measurement
- ネサベースCs-Sb光電陰極
- Surface Reconstruction of GaP (001) for Various Surface Stoichiometries
- Growth Mode Transition in GaAs/Gap(001)
- Surface Stoichiometry and Reconstruction of GaP(001)
- Growth Process in Initial Stage of GaAs/GaP (001) by Molecular Beam Epitaxy
- Effect of Y-Doping on Resistance Degradation of Multilayer Ceramic Capacitors with Ni Electrodes under the Highly Accelerated Life Test
- Aging Behavior of Ni-Electrode Multilayer Ceramic Capacitors with X7R Characteristics
- マイクロプロセッサーによる分子線エピタキシャル成長の制御
- 3-6 分子線エピタキシー法によるNEA透過型光電子放出素子
- 分子線源の設計条件について : マルチホールオリフィス分子線源の試作
- Size Effect on the Phase Transition in PbTiO_3 Fine Particles
- GaAs/GaP(001)における成長初期過程
- Initial Stage of Growth Process of Lead Titanate Fine Particles ( FERROELECTRIC MATERIALS AND THEIR APPLICATIONS)
- 2p-YF-12 PbTiO_3微粒子における歪み分布
- 三温度蒸着法によるGaAs薄膜結晶の生成
- Alignment Technique for Thin-Film-Transistor Liquid-Crystal Displays : Liquid Crystal Display
- Alignment Technique for Thin-Film-Transistor Liquid-Crystal Displays
- Crystallization and Growth Process of Lead Titanate Fine Particles from Alkoxide-Prepared Powders
- Microstructure of Alkoxide-Prepared Lead Zirconate Titanate Actuator
- Low-Hysteresis Actuator of Alkoxide-Prepared Pb_Sr_(Zr_Ti_)O_3 : Piezoelectrics
- GaAs/GaP(001)における成長モード遷移
- (NH_4)_2S_x処理したGaAs表面の昇温脱離法による評価
- マルチホールドプラグ分子線源
- GaP (100) 表面上の吸着Cs及びCs-Oの熱脱離特性
- 熱脱離によるNEA-GaP表面の研究
- Influence of Exposure to CO, CO_2 and H_2O on the Stability of GaAs Photocathodes
- Cs_2CO_3を用いたCsイオン銃の試作
- 高電流短パルス電子線源への光電面の応用(速報) (第25回真空に関する連合講演会プロシ-ディングス--昭和59年10月29日〜31日)
- MBE法によるInGaAs混晶の成長
- GaAs/GaP(001)ヘテロ成長における成長モード遷移
- 極端紫外領域におけるGaAsからの光電子放出
- GaAsからの光電子放出 II : イオン結晶・光物性
- GaAs-Csからの放出光電子のエネルギー分布
- GaAs-Csからの光電子放出に及ぼすSbとTeの効果
- アルミニウム、ネサ、三セレン化ヒ素からの光電子放出
- Csで活性化されたNEA GaP表面の平衡Cs蒸気圧
- MBE法によるGaP上へのZnSeの成長
- NEAGaP表面からの放出光電子のエネルギー分布
- 負の電子親和力状態にあるGaPからの電子の脱出確率と拡散長
- GaAs,GaP(111B)面の清浄化
- LEED及びオージェ電子分析によるGaAs(110)表面の研究
- ZnTeのキャリアトラップ中心
- ZnTeの増感中心
- GaAs/GaP(001)ヘテロ成長における成長モ-ド遷移
- MBE法によるGaInP混晶の成長 (第26回真空に関する連合講演会プロシ-ディングス--昭和60年11月6日〜8日,東京)
- MBE法によるGaP基板上のGaAs成長(速報) (第25回真空に関する連合講演会プロシ-ディングス--昭和59年10月29日〜31日)
- MBEによるGaAsP混晶の成長