GaAs-Csからの光電子放出に及ぼすSbとTeの効果
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
- 3-4 軟X線用ビジコン
- 赤外線用ビジコン
- 4a-E-5 Si(111)2×1上のCs吸着状態
- 電界イオン-走査型トンネル複合顕微鏡の製作とその性能
- インタ-ネットとパ-リテキストの活用
- 中期インド・アリアン聖典の計算機解析-11-韻律解析の全体像と韻律の分類表示について
- NEA GaAs光電面に対する残留ガスの影響
- NEA-GaAs表面の昇温脱離法による解析
- 量子力学における汎関数法
- ZnSeのMBE成長機構
- カリウム添加Ag-O-Cs光電面の研究
- RHEED強度振動測定装置の開発
- 分子線エピタキシ法によるGaAs_xP_1-x混晶成長の組成比制御
- GaAs表面超構造のMBE成長条件依存性による実効的As/Ga比の決定
- MBE成長ヘテロエピタキシャル層格子歪の評価
- GaAs/GaP, GaP/GaAsヘテロ接合における成長層の格子歪 : エピタキシー
- GaP表面上へのアルカリ金属の吸脱着(速報) (第25回真空に関する連合講演会プロシ-ディングス--昭和59年10月29日〜31日)
- 半導体表面に吸着したアルカリ金属の状態と光電面の大出力マイクロ波発生装置への応用
- MBE成長GaAs/GaP,GaP/GaAsヘテロ接合の格子歪
- マルチホール分子線源
- MBE法によるGaP基板上のGaAs成長
- 最近のMBEとその応用
- 2a-BB-3 レーザーとフォトカソードを用いた新マイクロ波源「レーザートロン」
- 12p-Y-5 Si(100)へのアルカリ(Li,Na,K,Cs)吸着
- 8)NEA冷陰極を用いた電子ビームの密度分布の測定(〔テレビジョン電子装置研究会(第80回)画像表示研究会(第37回)〕合同)
- NEA冷陰極を用いた電子ビームの密度分布の測定
- ZnTeの電気的光学的諸特性
- 4a-RJ-10 Si(111)2×1へのCs吸着に伴う表面電子状態の変化
- 2a-BB-4 レーザートロン用 フォトカソード
- 12p-Y-6 Cs/Si(111)2×1系の光電子スペクトル
- 2-4 シリコンNEA冷陰極素子の電子ビーム特性(II)
- 1)NEA冷陰極を用いたビジコン電子銃の基礎実験((テレビジョン電子装置研究会(第73回) 画像表示研究会(第30回))合同)
- NEA冷陰極を用いたビジコン電子銃の基礎実験
- 3-20 音響ドメインを利用した撮像デバイスの基礎実験
- 3-5 CdS RFスパッタ膜を用いた多重層ターゲット
- CdS RFスパッタ膜を用いた多重層撮像管ターゲット
- 光導電面(最近の撮像管技術)
- AES-LEEDによるGaP表面の研究
- 3-17 CdSとCdSeの混晶を用いた光導電形撮像管
- 7)PVF_2焦電型ビジコンの実験報告(テレビジョン電子装置研究会(第67回) 画像表示研究会(第23回) 同合)
- 1)シリコンを用いたNEA冷陰極(テレビジョン電子装置研究会(第67回) 画像表示研究会(第23回) 同合)
- 3-3 PVF_2フイルムを用いた焦電型ビジコンターゲットの基礎実験
- 3-1 プリホーカス電極を付加した平板レンズ型静電ビジコン
- 2)全静電型ビジコン(第45回 テレビジョン電子装置研究会)
- 2-4 静電ビジコン用平板レンズ系の実験
- マイクロプロセッサーによる分子線エピタキシャル成長の制御
- 3-6 分子線エピタキシー法によるNEA透過型光電子放出素子
- 分子線源の設計条件について : マルチホールオリフィス分子線源の試作
- 2-4 ミリコンNEA冷陰極の電子ビーム特性
- 3-1 シリコン表面のNEA活性化過程における均一性の観測
- 1)X線ビジコンの現状(テレビジョン電子装置研究会(第57回)テレビジョン技術応用研究会(第20回)合同)
- 三温度蒸着法によるGaAs薄膜結晶の生成
- マルチホールドプラグ分子線源
- GaP (100) 表面上の吸着Cs及びCs-Oの熱脱離特性
- 熱脱離によるNEA-GaP表面の研究
- 3-2 CsI透過形二次電子面(第二報)
- Csで活性化したCsI透過形二次電子面
- CsI透過形二次電子面
- CsI透過形二次電子面(第2報)
- 2)CsI透過形二次電子面(第11回テレビジョン電子装置研究委員会)
- 1)GaAsからの光電子放出(第15回 テレビジョン電子装置研究委員会)
- CsI透過形二次電子面(第1報)
- Cs_2CO_3を用いたCsイオン銃の試作
- 高電流短パルス電子線源への光電面の応用(速報) (第25回真空に関する連合講演会プロシ-ディングス--昭和59年10月29日〜31日)
- MBE法によるInGaAs混晶の成長
- CdS単結晶を用いた撮像管ターゲット
- 3-15 単結晶CdSを用いた多重層ターゲット
- CdS単結晶-無定形半導体ヘテロ接合の特性と撮像管への応用
- 3-6 CdS単結晶を用いた光導電形撮像管(第二報)
- 8)CdS単結晶-無定形半導体ヘテロ接合の特性と撮像管への応用(第22回 テレビジョン電子装置研究委員会)
- CdS単結晶をターゲットに用いた光導電形撮像管
- 4-6 CdS単結晶を用いた光導電形撮像管
- 2-2 高眞空動作用焦電型ターゲットの構造
- 2-5 高真空で動作する焦電型ビジコンターゲット
- 光導電形撮像管による微弱光積分撮像実験
- 3-19 As_2Se_3を用いた紫外線用ビジコン(第3報) : 電荷蓄積特性について
- 1)X線用ビジコンの電荷蓄積特性(第90回テレビジョン用電子管研究委員会)
- 3-3 X線用ビジコンの電荷蓄積特性
- 極端紫外領域におけるGaAsからの光電子放出
- GaAsからの光電子放出 II : イオン結晶・光物性
- GaAs-Csからの放出光電子のエネルギー分布
- GaAs-Csからの光電子放出に及ぼすSbとTeの効果
- アルミニウム、ネサ、三セレン化ヒ素からの光電子放出
- 1.概論(不可視情報の画像化技術)
- 静岡大学電子工学研究所
- (2. 光導電型撮像管 撮像デバイス) 2-1概論
- 軟X線用ビジコン
- 3-4 As_2Se_3を用いた紫外線用ビジコン(第1報)
- 軟X線用ビジコン(第2報)
- 三セレン化ヒ素を用いた紫外線用ビジコン(第1報)
- Csで活性化されたNEA GaP表面の平衡Cs蒸気圧
- NEAGaP表面からの放出光電子のエネルギー分布
- 負の電子親和力状態にあるGaPからの電子の脱出確率と拡散長
- GaAs,GaP(111B)面の清浄化
- LEED及びオージェ電子分析によるGaAs(110)表面の研究
- ZnTeのキャリアトラップ中心
- ZnTeの増感中心
- X線用ビジコン