CdS単結晶-無定形半導体ヘテロ接合の特性と撮像管への応用
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
CdS単結晶と無定形半導体-特にAs_2Se_3-との接合を形成したサンドイッチセルの光電特性を検討した.接合には整流性が観察され, 逆バイアスでは光応答が非常に速い.セルの特性は単結晶から無定形への担体注入が支配していると考えられ, CdS表面の効果も大きい.この接合を用いた光導電形撮像管は, 暗電流が小さく, ガンマはほぼ1で, 解像度も良く, 残像が非常に小さい.試作管はas-grown単結晶で接合を形成しているので, 画面にすじ, きずが多い.単結晶の処理, doping等の研究により画質, 感度等の向上が期待できる.
- 社団法人映像情報メディア学会の論文
- 1971-05-01
著者
関連論文
- 3-4 軟X線用ビジコン
- 赤外線用ビジコン
- 8)NEA冷陰極を用いた電子ビームの密度分布の測定(〔テレビジョン電子装置研究会(第80回)画像表示研究会(第37回)〕合同)
- NEA冷陰極を用いた電子ビームの密度分布の測定
- 2-4 PC-CdTe/a-Si : Hヘテロ接合を用いたX線撮像デバイス
- 2-4 シリコンNEA冷陰極素子の電子ビーム特性(II)
- 1)NEA冷陰極を用いたビジコン電子銃の基礎実験((テレビジョン電子装置研究会(第73回) 画像表示研究会(第30回))合同)
- NEA冷陰極を用いたビジコン電子銃の基礎実験
- 3-20 音響ドメインを利用した撮像デバイスの基礎実験
- 2-6 アモルファスシリコンのシリコンビジコン用半絶縁膜への応用
- 2-5 CdS-CdTeヘテロ接合ターゲット(Hot-Wall法)
- 4-17 X線用SIT
- 3-5 CdS RFスパッタ膜を用いた多重層ターゲット
- CdS RFスパッタ膜を用いた多重層撮像管ターゲット
- 光導電面(最近の撮像管技術)
- 3-17 CdSとCdSeの混晶を用いた光導電形撮像管
- 7)PVF_2焦電型ビジコンの実験報告(テレビジョン電子装置研究会(第67回) 画像表示研究会(第23回) 同合)
- 1)シリコンを用いたNEA冷陰極(テレビジョン電子装置研究会(第67回) 画像表示研究会(第23回) 同合)
- 3-3 PVF_2フイルムを用いた焦電型ビジコンターゲットの基礎実験
- PVF_2フィルムターゲットを持つ焦電型ビジコンの基礎実験
- 3-1 プリホーカス電極を付加した平板レンズ型静電ビジコン
- 2)全静電型ビジコン(第45回 テレビジョン電子装置研究会)
- 2-4 静電ビジコン用平板レンズ系の実験
- 2-4 ミリコンNEA冷陰極の電子ビーム特性
- 3-1 シリコン表面のNEA活性化過程における均一性の観測
- 1)X線ビジコンの現状(テレビジョン電子装置研究会(第57回)テレビジョン技術応用研究会(第20回)合同)
- ホットウオール法によるCdS-CdTeヘテロ接合ターゲット
- 3-2 CsI透過形二次電子面(第二報)
- Csで活性化したCsI透過形二次電子面
- CsI透過形二次電子面
- CsI透過形二次電子面(第2報)
- 2)CsI透過形二次電子面(第11回テレビジョン電子装置研究委員会)
- 1)GaAsからの光電子放出(第15回 テレビジョン電子装置研究委員会)
- CsI透過形二次電子面(第1報)
- CdS単結晶を用いた撮像管ターゲット
- 3-15 単結晶CdSを用いた多重層ターゲット
- CdS単結晶-無定形半導体ヘテロ接合の特性と撮像管への応用
- 3-6 CdS単結晶を用いた光導電形撮像管(第二報)
- 8)CdS単結晶-無定形半導体ヘテロ接合の特性と撮像管への応用(第22回 テレビジョン電子装置研究委員会)
- CdS単結晶をターゲットに用いた光導電形撮像管
- 4-6 CdS単結晶を用いた光導電形撮像管
- ガス封入形焦電どジコンにおけるカソードの寿命について
- 焦電ビジコンの電極系ならびに動作条件の検討
- ガス封入形焦電ビジコンの改良
- 4-14 PVF_2焦電ビジコン電極改良とターゲット熱拡散性の検討
- 3-2 PVF_2焦電ビジコンにおける電子ビーム系の検討
- PVF_2フィルムを用いた高真空焦電型撮像管
- 2-2 高眞空動作用焦電型ターゲットの構造
- 2-5 高真空で動作する焦電型ビジコンターゲット
- 光導電形撮像管による微弱光積分撮像実験
- 3-19 As_2Se_3を用いた紫外線用ビジコン(第3報) : 電荷蓄積特性について
- 1)X線用ビジコンの電荷蓄積特性(第90回テレビジョン用電子管研究委員会)
- 3-3 X線用ビジコンの電荷蓄積特性
- 極端紫外領域におけるGaAsからの光電子放出
- GaAsからの光電子放出 II : イオン結晶・光物性
- GaAs-Csからの放出光電子のエネルギー分布
- GaAs-Csからの光電子放出に及ぼすSbとTeの効果
- アルミニウム、ネサ、三セレン化ヒ素からの光電子放出
- 1.概論(不可視情報の画像化技術)
- 静岡大学電子工学研究所
- (2. 光導電型撮像管 撮像デバイス) 2-1概論
- 軟X線用ビジコン
- 3-4 As_2Se_3を用いた紫外線用ビジコン(第1報)
- 軟X線用ビジコン(第2報)
- 三セレン化ヒ素を用いた紫外線用ビジコン(第1報)
- 反応性スパッタリングによるCdS膜
- 高温雰囲気中における反応性スパッタリング
- X線用ビジコン
- 軟X線用ビジコン