反応性スパッタリングによるCdS膜
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概要
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In the mixed atmosphere of sublimated sulphur and argon, nealy stoichiometric thin films of CdS were prepared by reactive sputtering. Their properties were very dependent on the sputtering conditions, i.e., sputtering rate, sublimation temperature, argon gas pressure, and etc. The dark resistivities of CdS sputtered films in sulphur vapour at 125°C were about 2×10<SUP>10</SUP><I>Ω</I>-cm. CdS-CdTe heterojunctions were formed by evaporating CdTe on reactive sputtered CdS films. The rectifying characteristics and photo-response spectra in visible region for these junctions were observed.
- 日本真空協会の論文
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