CdS単結晶をターゲットに用いた光導電形撮像管
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
- 3-4 軟X線用ビジコン
- 赤外線用ビジコン
- 8)NEA冷陰極を用いた電子ビームの密度分布の測定(〔テレビジョン電子装置研究会(第80回)画像表示研究会(第37回)〕合同)
- NEA冷陰極を用いた電子ビームの密度分布の測定
- 2-4 PC-CdTe/a-Si : Hヘテロ接合を用いたX線撮像デバイス
- 2-4 シリコンNEA冷陰極素子の電子ビーム特性(II)
- 1)NEA冷陰極を用いたビジコン電子銃の基礎実験((テレビジョン電子装置研究会(第73回) 画像表示研究会(第30回))合同)
- NEA冷陰極を用いたビジコン電子銃の基礎実験
- 3-20 音響ドメインを利用した撮像デバイスの基礎実験
- 2-6 アモルファスシリコンのシリコンビジコン用半絶縁膜への応用
- 2-5 CdS-CdTeヘテロ接合ターゲット(Hot-Wall法)
- 4-17 X線用SIT
- 3-5 CdS RFスパッタ膜を用いた多重層ターゲット
- CdS RFスパッタ膜を用いた多重層撮像管ターゲット
- 光導電面(最近の撮像管技術)
- 3-17 CdSとCdSeの混晶を用いた光導電形撮像管
- 7)PVF_2焦電型ビジコンの実験報告(テレビジョン電子装置研究会(第67回) 画像表示研究会(第23回) 同合)
- 1)シリコンを用いたNEA冷陰極(テレビジョン電子装置研究会(第67回) 画像表示研究会(第23回) 同合)
- 3-3 PVF_2フイルムを用いた焦電型ビジコンターゲットの基礎実験
- PVF_2フィルムターゲットを持つ焦電型ビジコンの基礎実験
- 3-1 プリホーカス電極を付加した平板レンズ型静電ビジコン
- 2)全静電型ビジコン(第45回 テレビジョン電子装置研究会)
- 2-4 静電ビジコン用平板レンズ系の実験
- 2-4 ミリコンNEA冷陰極の電子ビーム特性
- 3-1 シリコン表面のNEA活性化過程における均一性の観測
- 1)X線ビジコンの現状(テレビジョン電子装置研究会(第57回)テレビジョン技術応用研究会(第20回)合同)
- ホットウオール法によるCdS-CdTeヘテロ接合ターゲット
- 3-2 CsI透過形二次電子面(第二報)
- Csで活性化したCsI透過形二次電子面
- CsI透過形二次電子面
- CsI透過形二次電子面(第2報)
- 2)CsI透過形二次電子面(第11回テレビジョン電子装置研究委員会)
- 1)GaAsからの光電子放出(第15回 テレビジョン電子装置研究委員会)
- CsI透過形二次電子面(第1報)
- CdS単結晶を用いた撮像管ターゲット
- 3-15 単結晶CdSを用いた多重層ターゲット
- CdS単結晶-無定形半導体ヘテロ接合の特性と撮像管への応用
- 3-6 CdS単結晶を用いた光導電形撮像管(第二報)
- 8)CdS単結晶-無定形半導体ヘテロ接合の特性と撮像管への応用(第22回 テレビジョン電子装置研究委員会)
- CdS単結晶をターゲットに用いた光導電形撮像管
- 4-6 CdS単結晶を用いた光導電形撮像管
- ガス封入形焦電どジコンにおけるカソードの寿命について
- 焦電ビジコンの電極系ならびに動作条件の検討
- ガス封入形焦電ビジコンの改良
- 4-14 PVF_2焦電ビジコン電極改良とターゲット熱拡散性の検討
- 3-2 PVF_2焦電ビジコンにおける電子ビーム系の検討
- PVF_2フィルムを用いた高真空焦電型撮像管
- 2-2 高眞空動作用焦電型ターゲットの構造
- 2-5 高真空で動作する焦電型ビジコンターゲット
- 光導電形撮像管による微弱光積分撮像実験
- 3-19 As_2Se_3を用いた紫外線用ビジコン(第3報) : 電荷蓄積特性について
- 1)X線用ビジコンの電荷蓄積特性(第90回テレビジョン用電子管研究委員会)
- 3-3 X線用ビジコンの電荷蓄積特性
- 極端紫外領域におけるGaAsからの光電子放出
- GaAsからの光電子放出 II : イオン結晶・光物性
- GaAs-Csからの放出光電子のエネルギー分布
- GaAs-Csからの光電子放出に及ぼすSbとTeの効果
- アルミニウム、ネサ、三セレン化ヒ素からの光電子放出
- 1.概論(不可視情報の画像化技術)
- 静岡大学電子工学研究所
- (2. 光導電型撮像管 撮像デバイス) 2-1概論
- 軟X線用ビジコン
- 3-4 As_2Se_3を用いた紫外線用ビジコン(第1報)
- 軟X線用ビジコン(第2報)
- 三セレン化ヒ素を用いた紫外線用ビジコン(第1報)
- 反応性スパッタリングによるCdS膜
- 高温雰囲気中における反応性スパッタリング
- X線用ビジコン
- 軟X線用ビジコン