Cs_2CO_3を用いたCsイオン銃の試作
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
- 4a-E-5 Si(111)2×1上のCs吸着状態
- 電界イオン-走査型トンネル複合顕微鏡の製作とその性能
- インタ-ネットとパ-リテキストの活用
- 中期インド・アリアン聖典の計算機解析-11-韻律解析の全体像と韻律の分類表示について
- NEA GaAs光電面に対する残留ガスの影響
- NEA-GaAs表面の昇温脱離法による解析
- 量子力学における汎関数法
- ZnSeのMBE成長機構
- カリウム添加Ag-O-Cs光電面の研究
- RHEED強度振動測定装置の開発
- 分子線エピタキシ法によるGaAs_xP_1-x混晶成長の組成比制御
- GaAs表面超構造のMBE成長条件依存性による実効的As/Ga比の決定
- MBE成長ヘテロエピタキシャル層格子歪の評価
- GaAs/GaP, GaP/GaAsヘテロ接合における成長層の格子歪 : エピタキシー
- GaP表面上へのアルカリ金属の吸脱着(速報) (第25回真空に関する連合講演会プロシ-ディングス--昭和59年10月29日〜31日)
- 半導体表面に吸着したアルカリ金属の状態と光電面の大出力マイクロ波発生装置への応用
- MBE成長GaAs/GaP,GaP/GaAsヘテロ接合の格子歪
- マルチホール分子線源
- MBE法によるGaP基板上のGaAs成長
- 最近のMBEとその応用
- 2a-BB-3 レーザーとフォトカソードを用いた新マイクロ波源「レーザートロン」
- 12p-Y-5 Si(100)へのアルカリ(Li,Na,K,Cs)吸着
- ZnTeの電気的光学的諸特性
- 4a-RJ-10 Si(111)2×1へのCs吸着に伴う表面電子状態の変化
- 2a-BB-4 レーザートロン用 フォトカソード
- 12p-Y-6 Cs/Si(111)2×1系の光電子スペクトル
- AES-LEEDによるGaP表面の研究
- マイクロプロセッサーによる分子線エピタキシャル成長の制御
- 3-6 分子線エピタキシー法によるNEA透過型光電子放出素子
- 分子線源の設計条件について : マルチホールオリフィス分子線源の試作
- 三温度蒸着法によるGaAs薄膜結晶の生成
- マルチホールドプラグ分子線源
- GaP (100) 表面上の吸着Cs及びCs-Oの熱脱離特性
- 熱脱離によるNEA-GaP表面の研究
- Cs_2CO_3を用いたCsイオン銃の試作
- 高電流短パルス電子線源への光電面の応用(速報) (第25回真空に関する連合講演会プロシ-ディングス--昭和59年10月29日〜31日)
- MBE法によるInGaAs混晶の成長
- 極端紫外領域におけるGaAsからの光電子放出
- GaAsからの光電子放出 II : イオン結晶・光物性
- GaAs-Csからの放出光電子のエネルギー分布
- GaAs-Csからの光電子放出に及ぼすSbとTeの効果
- アルミニウム、ネサ、三セレン化ヒ素からの光電子放出
- Csで活性化されたNEA GaP表面の平衡Cs蒸気圧
- NEAGaP表面からの放出光電子のエネルギー分布
- 負の電子親和力状態にあるGaPからの電子の脱出確率と拡散長
- GaAs,GaP(111B)面の清浄化
- LEED及びオージェ電子分析によるGaAs(110)表面の研究
- ZnTeのキャリアトラップ中心
- ZnTeの増感中心