棚橋 克人 | 富士通研
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概要
関連著者
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金田 寛
新潟大物質量子セ
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棚橋 克人
富士通研
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須藤 彰三
東北大院理
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木村 大介
東北大院理
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須藤 彰三
東北大学大学院理学研究科物理学専攻
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金田 寛
富士通研
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棚橋 克人
(株)富士通
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金田 寛
(株)富士通
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須藤 彰三
東北大学大学院理学研究科
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Szuba S.
Poznun Univ. of Tech. (Poland)
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柿本 浩一
九州大学応用力学研究所
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劉 立軍
九州大学応用力学研究所
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劉 立軍
九大
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金田 寛
富士通(株)
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棚橋 克人
富士通(株)
著作論文
- 19aWH-9 炭酸ガスレーザ照射によるSi(100)表面の酸化膜成長過程II(表面局所光学現象,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 23aYC-1 炭酸ガスレーザ照射によるSi(100)表面の酸化膜成長過程(23aYC 表面局所光学現象,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 17aA01 レーザ照射によるシリコン中の酸素とボロンの拡散促進(半導体バルク,第35回結晶成長国内会議)
- 19pYN-2 赤外線照射による不純物拡散の制御(領域10,領域4合同シンポジウム : 電子励起と不純物ダイナミックスのコントロール,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 17pTG-4 赤外吸収法で観測したCZシリコン結晶中の窒素関連欠陥の熱的挙動