光照射MOVPE成長によるZnTe膜のフォトルミネッセンス : エピタキシャル成長IV
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概要
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Effects of substrate temperature upon the growth rate and photoluminescence properties of ZnTe epi-layers are compared between photo-assisted MOVPE and MOVPE when low growth rates were used Photoassisted MOVPE leads to ZnTe epi-layers of high quality over the wide range of substrate temperature compaled to MOVPE.
- 日本結晶成長学会の論文
- 2000-07-01
著者
-
郭其 新
佐賀大学理工学部
-
郭 其新
佐賀大学理工学部電気電子工学科
-
西尾 光弘
佐賀大学理工学部電気電子工学科
-
小川 博司
佐賀大学シンクロトロン光応用研究センター
-
林田 和樹
佐賀大学ベンチャービジネスラボラトリー
-
林田 和樹
佐賀大学理工学部
-
原田 浩樹
佐賀大学理工学部
-
小川 博司
佐賀大学理工学部
-
西尾 光弘
佐賀大学理工学部電気工学教室
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