黒瀬 朋紀 | 東京工業大学 大学院総合理工学研究科 物理電子システム創造専攻

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概要

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• 同名の論文著者
• 東京工業大学 大学院総合理工学研究科 物理電子システム創造専攻の論文著者

関連著者

• 大見 俊一郎

  東京工業大学

• 黒瀬 朋紀

  東京工業大学大学院総合理工学研究科

• 佐藤 雅樹

  東京工業大学大学院総合理工学研究科

• 大見 俊一郎

  東京工業大学・総合理工学研究科

• 佐藤 雅樹

  東京工業大学大学院総合理工学研究科物理電子システム創造専攻

• 大見 俊一郎

  東京工業大学大学院総合理工学研究科

• 黒瀬 朋紀

  東京工業大学 大学院総合理工学研究科 物理電子システム創造専攻

• 大見 俊一郎

  東京工業大学総合理工学研究科

• 内川 偉史

  東京工業大学大学院総合理工学研究科

• 内川 偉史

  東京工業大学 大学院総合理工学研究科

著作論文

• HfNのECR Ar/O_2プラズマ酸化プロセスによる極薄HfSiONの形成(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
• ECR-Ar/N_2プラズマにより形成したHfON膜の極薄膜化に関する検討(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
• ECR Ar/N_2プラズマ窒化による高誘電率HfO_xN_y薄膜の形成(Advanced ULSI Technology, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))
• HfNのECRプラズマ酸化によるHfON薄膜の形成(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• ECR Ar/N_2プラズマ窒化による高誘電率HfO_xN_y薄膜の形成(Advanced ULSI Technology, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))

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