CD制御に基づいたCu/有機 Low-k 配線インテグレーション技術
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 2002-06-06
著者
-
大崎 明彦
三菱電機(株) ULSI 技術開発センター
-
西岡 康隆
三菱電機(株)LSI研究所
-
大崎 明彦
株式会社ルネサステクノロジ
-
西岡 康隆
三菱電機(株)
-
深田 哲生
三菱電機(株)先端技術総合研究所
-
豊田 吉彦
三菱電機(株)先端技術総合研究所
-
友久 伸吾
三菱電機(株)
-
松浦 正純
株式会社ルネサステクノロジ
-
佐竹 哲郎
松下電器産業(株)
-
松浦 正純
三菱電機(株)
-
堂前 伸一
松下電器産業(株)
-
豊田 吉彦
三菱電機(株)先端技術総合研究所先端デバイス部門半導体デバイス部
-
深田 哲生
三菱電機 先端技総研
-
豊田 吉彦
三菱電機(株)
-
深田 哲生
三菱電機(株)
関連論文
- LSI銅配線とウェットプロセス
- 5)HDTVカメラ用1インチ150万画素IT-CCD撮像素子(〔情報入力研究会コンシューマエレクトロニクス研究会〕合同)
- HDTVカメラ用1"150万画素IT-CCD撮像素子 : 情報入力,コンシューマエレクトロニクス
- 2-10 ハイビジョンカメラ用1" 150万画素IT-CCD撮像素子
- 高速システムLSI対応Cu配線技術
- UHV-CVDによるエピタキシャルSiのMOSFETソース・ドレインへの適用
- TiWNでキャップしたダマシンCu配線
- 高信頼性Cu配線の特性
- 銅配線の酸化防止方法についての検討
- 3K112 強誘電性液晶の階調性(2)
- 3K111 強誘電性液晶における階調性(1)
- ガスパフプラズマを用いたゲート電極エッチング時の薄膜酸化膜へのダメージ評価
- 45nm Cu/Low-k配線対応Ultra Low-k膜UVキュア技術の検討(低誘電率層間膜,配線材料及び一般)
- CD制御に基づいたCu/有機 Low-k 配線インテグレーション技術
- シラン/過酸化水素反応によるサブハーフミクロン対応層間絶縁膜平坦化技術
- 完全被覆Cu配線プロセス (特集"半導体") -- (基盤技術)