TiWNでキャップしたダマシンCu配線
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概要
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半導体デバイスの高集積化および高速化に対応するため,配線材料へCuの適用が検討されている.CuのパターニンダはCMP (Chemical Mechanical Polishing :化学機械研磨)技術を用いたダマシンプロセスが主流となっているが,多層化に際しては後工程でのCu表面の酸化が問題となる.そこで,今回,CMP後のCu配線上部のみを酸化防止および拡散防止に有効なTiWNでギャップする構造を,CMPによりセルフアラインで作製する技術を開発した.TiWNキャップメタル層は配線幅に依らずウエハ面内で均一に形成されており,ギャップ構造とすることでSiO_2成膜およびレジストアッシング工程でのCu配線の酸化が防止され,エレクトロマイグレーシヨン耐性も従来のAI配線より高いことを確認した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-12-06
著者
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三上 登
三菱電機(株)先端技術総合研究所プロセス基礎技術部
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三上 登
三菱電機
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三上 登
三菱電機(株)
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森 剛
三菱電機(株)先端技術総合研究所
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深田 哲生
三菱電機(株)先端技術総合研究所
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豊田 吉彦
三菱電機(株)先端技術総合研究所
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長谷川 万希子
三菱電機(株)先端技術総合研究所
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長谷川 万希子
三菱電機 先端技総研
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豊田 吉彦
三菱電機(株)先端技術総合研究所先端デバイス部門半導体デバイス部
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深田 哲生
三菱電機 先端技総研
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豊田 吉彦
三菱電機(株)
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深田 哲生
三菱電機(株)
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