5a-F-7 反変調ドーブGaAs/AlGaAs量子井戸における障壁層のフォトリフレクタンスII

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 1994-08-16

著者

• 酒井 政道

  東北大金研

• 黒田 規敬

  東北大金研

• 酒井 政道

  東北大・金研

• Anderson J.r.

  メリーランド大

• Anderson J.R

  メリーランド大

関連論文

• 27a-E-10 アレキサンドライトの強磁場光スペクトル (II)
• 27a-E-9 アレキサンドライトの強磁場光スペクトル I
• 30a-H-6 塩素架橋白金錯体の結晶構造欠陥
• 1p-F-7 MOCVD法によって作成したn型GaAsにおけるフォトリフレクタンススペクトルの温度依存性とキャリヤ散乱機構
• 30p-X-13 GaAs及びAl_xGa_Asにおけるフォトリフレクタンス強度の温度依存性と電子輸送
• 27p-PS-18 Y-Ba-Cu-O微粒子の赤外吸収
• 3p-YA-9 [Pt(en)_2][Pt(en)_2I_2](ClO_4)_4の基礎吸収端の静水圧依存性
• 25p-YN-8 擬一次元白金錯体の光誘起Aバンドの減衰時定数の初期強度依存性
• 31p-J-6 擬一次元白金錯体のキンクの量子揺らぎとミッドギャップ光吸収
• 22aZK-7 磁場中で成長した1:2TCNQ中性ラジカル混合電荷移動錯体における光吸収
• 24aE-13 (NMe_4^+.TCNQ^)_2TCNQにおけるFTIR反射の圧力依存性
• 24aE-12 (Cs^+.TCNQ^)_2TCNQにおける光吸収の温度と圧力依存性
• 24aE-11 Cs_2TCNQ_3および(Nme_4)_2TCNQ_3のプロトンNMR
• 28p-XB-11 (NMe^+_4.TCNQ^-・)_2TCNQにおける光吸収の圧力依存性
• 27a-ZD-12 擬一次元白金錯体の準安定光誘起吸収
• 28a-G-1 擬一次元白金錯体における光誘起吸収バンドの温度依存性
• 29p-ZF-2 擬一次元白金錯体における光誘起吸収の顕微分及び画像解析II
• 25a-Z-10 擬一次元白金錯体における光誘起吸収の顕微分光及び画像解析
• 29p-YF-12 NiAs型Fe-S系化合物における高圧下のメスバウアー分光
• 29p-YN-2 ポーラスシリコン可視発光のソルバトクロミズムと加圧効果
• 5p-F-10 高圧・強磁場下におけるCd_M_xSe(M=Co, Mn)の励起子発光スペクトル
• 14a-DE-11 高圧下におけるCd_Co_xSe(x=0.012)の強磁場発光スペクトル
• 5a-F-7 反変調ドーブGaAs/AlGaAs量子井戸における障壁層のフォトリフレクタンスII
• 28p-K-9 反変調ドープGaAs/AlGaAs量子井戸における障壁層のフォトリフレクタンス
• 28p-D-16 高圧下におけるアレキサンドライトのR発光線のゼーマン分裂
• 26pE-12 ミッドギャップ状態の光生成と消滅の全時間変化-白金錯体の場合
• 31a-YC-1 PtCl錯体のAバンドの減衰と光誘起状態の平衡化
• 3a-Y-7 [Pt(en)_2][Pt(en)_2Cl_2](BF_4)_4の構造と光吸収の温度依存性
• 6a-S-3 酢酸銅1水化物-CH_3の60°K以下のT_1
• 3a-L-5 NH_4Br-Cu^のE.S.R. : 光吸収と相転移
• 8a-C-7 NaH_3(SeO_3)_2における、プロトンスピン格子緩和
• 4a-TB-7 銅をドープしたアンモニウムハライドの相転移 I
• NH_4Cl : Cu^における相転移点近傍でのg, A 及びエネルギー準位 : 磁気共鳴
• 14a-R-5 Cu^dopedNH_4Clの磁気共鳴
• 12p-J-9 Cd_Zn_xTe半導体混晶の強誘電的構造相転移
• 3a-ZA-6 2重ジグザグ鎖-O-Pt-Cu-O-をもつ複合酸化物 : 反強磁性半導体
• 25a-N-1 高温分子強磁性体(NMe^+_4.TCNQ)_2TCNQにおける光吸収の温度依存性
• 3a-KL-5 GaSe_S_xのエレクトロルミネッセンス(II)
• 11p-H-7 Teにおける高密度励起光伝導 I
• 10p-W-3 高励起下での伝導現象
• 3p-H-13 高密度励起GaSeの発光と基礎吸収
• Fe_xZrS_2及びFe_xHfS_2層間化合物の物性(インターカレーションの機構と物性(第1回),科研費研究会報告)
• 5a-PS-50 BiSrCaCuO超伝導酸化物のラマン散乱
• 3a-Y-8 擬一次元白金錯体のサブギャップ光吸収
• 29p-Z-7 擬一次元白金錯体に光誘起されたキンクの減衰
• 28p-YM-2 擬一次元白金錯体[Pt(en)_2][Pt(en)_2Cl_2](BF_4)_4の光誘起ミッドギャップ吸収
• 31p-J-7 擬一次元白金錯体[Pt(en)_2][Pt(en)_2Cl_2](BF_4)_4の高圧ラマン散乱
• 14a-DD-5 擬一次元白金錯体Pt(en)_2Cl(BF_4)_2のミッドギャップ光吸収
• 27a-B-2 III-VI族層状半導体InSeの励起子の磁気光効果
• 30p-W-15 Cu_2Oのオルソ励起子共鳴第2高調波
• 2p-F-14 InSeの強磁場磁気光吸収による励起子ノード曲面数保存測の検討II
• 2a-NL-9 III-VI族層状化合物における吸収端励起子の内部構造と有効g-値
• 2a-NL-8 InSeの高磁場磁気-光吸収による励起子ノード曲面数保存則の検討
• 27a-E-16 ハロゲン架橋型一次元白金錯体における偏光光吸収スペクトルの静水圧依存性
• 28a-YM-13 GaAsにおけるフォトリフレクタンスと高電界中の電子輸送
• 29p-M-12 〓一次元白金錯体のKバンドESR
• 27a-ZD-11 硫酸塩白金錯体の高圧光吸収
• 28a-C-6 白金錯体の圧力誘起連続相転移
• 28a-ZF-4 アセトアニリド結晶における自己束縛フォノン
• 30a-H-7 擬一次元白金錯体の圧力誘起連続相転移-実験
• 26a-ZA-4 低温高圧下におけるアセトアニリドのラマン散乱
• ハロゲン架橋白金錯体のソリトン(圧力効果)(物性研短期研究会報告「一次相転移に伴うメゾスコピック構造の形成とそのダイナミックス」,研究会報告)
• 5p-K-11 ハロゲン架橋白金錯体における光誘起ESRの温度依存性
• 5p-K-10 低温高圧下におけるハロゲン架橋白金錯体中の配位子のラマン錯乱
• 光照射した擬一次元白金錯体のESR(II 平成元年度研究会報告,超強磁場による電子制御の研究,科研費研究会報告)
• 30p-E-10 InSeの圧縮率と相転移
• M_2TCNQR_3(M=NMe_4, Cs:R=H, F)の磁性と電気伝導
• 25a-Z-9 ハロゲン架橋白金錯体のソリトン、ポーラロン形成エネルギー
• 31a-P-9 強い電子格子相互作用を有する擬一次元白金錯体系のソリトンとポーラロン
• 5p-L-9 強結合白金錯体系のソリトンとポーラロン
• 1p-F-13 InSe,GaSeのエネルギー・ギャップの静水圧依存性
• 11p-E-9 GaSeの高圧ラマン散乱
• 11p-E-8 GaSeのA,B光学吸収端の圧力変化
• 27p-K-7 高圧下におけるInSeのA-, B-光学吸収端
• 22p-H-15 レーザー励起によるGaSeのStimulated Emission
• 3a-M-9 GaSeの2光子遷移に伴う発光と光伝導
• 25a-N-4 (NMe_4^+TCNQ^)_2TCNQのX線回折
• 3p-D3-13 CsCoCl_3の定常強磁場下の光吸収スペクトル
• 3p-D3-11 アレキサンドライトのR線^2E準位のスピン状態
• 26pE-11 ミッドギャップ状態の光生成から消滅までの全時間変化 : 理論的背景
• 4p-A2-9 イオン注入によるGaSe層間への擬インターカレーション
• 29a-G-18 GaSeのイオン注入誘起相転移とラマン散乱
• 5p-W-10 アレキサンドライトの圧力誘起パッシェン・バック効果
• 6a-C3-2 ハロゲン架橋白金錯体の静水高圧下における光誘起吸収
• 14a-DD-4 [Pt(en)_2][Pt(en)_2Cl_2](ClO_4)_4と関連物質の中性子回折・散乱
• 25aZA-5 一次元不規則格子中の光励起非平衡電子状態のdynamics
• 31a-P-8 擬一次元白金錯体中の配位子のラマン散乱
• 5p-L-8 擬一次元白金錯体における配位子の高圧ラマン散乱
• 27a-D-7 ハロゲン架橋型白金錯体混晶の光吸収とラマンスペクトルに対する静水圧効果
• 3a-A-19 γ相ZnCl_2における層間相互作用とその圧力依存性
• 5a-TC-7 ZnCl_2におけるラマン散乱とX線回折の圧力依存性
• 4a-KG-5 ZnCl_2の高圧ラマン散乱
• 14a-S-4 ZnCl_2単結晶のラマン散乱
• 27a-LD-9 SbCl_5-GIC(ステージ2)の面内構造変化II(半導体)
• 27p-JB-8 ハロゲン架橋型白金錯体[Pt(en)_2][Pt(en)_2I_2](C10_4)_4とウォルフラム赤色塩の吸収帯に対する圧力効果(分子性結晶・液晶・有機半導体)
• 1aC-5 塩素架橋型白金錯体のソリトン-パンド間光吸収と1次元パンドモデル(イオン結晶・光物性)
• 1a-E1-5 ハロゲン架橋錯体における電荷移動励起子吸収帯の圧力依存性(1a E1 分子性結晶・液晶・有機半導体,分子性結晶・有機半導体・液晶)
• 30a-FB-8 SiCの高圧ラマン散乱I(30a FB 半導体(光物性・深い不純物・輸送現象・ホットエレクトロン))
• 31a-PS-4 Bond Orbital ModelによるHgI_2型層状化合物の結合角と有効電荷の解析(31a PS イオン結晶・光物性ポスターセッション(低次元・層状物質・有機物),イオン結晶・光物性)
• 31a-P-2 ハロゲン架橋擬一次元白金錯体のESRとキンク構造(31aP 分子性結晶・液晶・有機半導体(白金錯体他))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク