M_2TCNQR_3(M=NMe_4, Cs:R=H, F)の磁性と電気伝導
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1996-09-13
著者
-
杉本 豊成
阪府大先端研
-
黒田 規敬
東北大金研
-
杉本 豊成
大阪府大先端研
-
夘尾崎 寛
東北大理
-
植田 一正
大阪府大先端研
-
小浜 雅圭
大阪府大先端研
-
遠藤 聡
大阪府大先端研
-
豊田 直樹
大阪府大先端研
-
山口 俊之
大阪府大先端研
-
夘尾崎 寛
大阪府大先端研
-
松井 広志
大阪府大先端研
-
山口 俊之
阪府大先端研:近大理工
関連論文
- 12pWH-8 (BDA-TTP)_2FeCl_4 および強磁性を示すキノンを含む TTF・FeBr_4 錯体のπ d 相互作用(π-d 電子系他, 領域 7)
- 27pYL-9 分子磁性伝導体(EDT-TTFVO)_2FeBr_4の圧力効果(τ-型, および各種相転移,領域7(分子性固体・有機導体))
- 27a-E-10 アレキサンドライトの強磁場光スペクトル (II)
- 27a-E-9 アレキサンドライトの強磁場光スペクトル I
- 30a-H-6 塩素架橋白金錯体の結晶構造欠陥
- 27p-PS-18 Y-Ba-Cu-O微粒子の赤外吸収
- 3p-YA-9 [Pt(en)_2][Pt(en)_2I_2](ClO_4)_4の基礎吸収端の静水圧依存性
- 25p-YN-8 擬一次元白金錯体の光誘起Aバンドの減衰時定数の初期強度依存性
- 31p-J-6 擬一次元白金錯体のキンクの量子揺らぎとミッドギャップ光吸収
- 20pRJ-10 Benzo-TTFVS_2 GaBr_4分子性結晶のESR(I)(π-d系・ESR・フェルミオロジー,領域7,分子性固体・有機導体)
- 25aYF-3 ベンゾ基を含むπd系反強磁性体の強磁場磁化(2)(25aYF π-d系,高圧物性,導電性高分子,領域7(分子性固体・有機導体))
- 28pWG-14 Cs_2TCNQ_3における高圧下電気抵抗(方法論・NI系・他)(領域7)
- 28pWG-13 RbTCNQの光学特性(方法論・NI系・他)(領域7)
- 強磁場下における電荷移動錯体の結晶成長 (強磁場下の結晶成長及び強磁場の化学・生物学効果の研究)
- 23aXE-6 強磁場下で育成した TCNQ 化合物の結晶の光学特性
- 28aZA-1 磁場下で成育した TCNQ 化合物の結晶における高圧赤外吸収
- 強磁場による中性金属錯体ポリマーの薄膜構造の改質 (強磁場下の結晶成長及び強磁場の化学・生物学効果の研究)
- 強磁場によるTCNQ塩の電子構造の改質 (強磁場下の結晶成長及び強磁場の化学・生物学効果の研究)
- 20aWF-12 DMTCNQ塩のESR
- 20aWF-11 (NMe_4)_2TCNQ_3とCs_2TCNQ_3における高圧赤外吸収
- 28aWB-1 磁場中で成長したTCNQ中性・ラジカル混合電荷移動錯体の高圧光吸収
- 23aYG-2 (NMe_4)_2TCNQ_3における赤外吸収の温度依存性
- 22aZK-7 磁場中で成長した1:2TCNQ中性ラジカル混合電荷移動錯体における光吸収
- 強磁場下におけるTCNQ塩の結晶成長 (強磁場下の結晶成長及び強磁場の化学・生物学効果の研究)
- 26aE-1 τ-(EDO-S, S-DMEDT-TTF)_2(AuBr_2)_, (y〜0.75)の静磁化率と反射スペクトル
- 24aE-13 (NMe_4^+.TCNQ^)_2TCNQにおけるFTIR反射の圧力依存性
- 24aE-12 (Cs^+.TCNQ^)_2TCNQにおける光吸収の温度と圧力依存性
- 24aE-11 Cs_2TCNQ_3および(Nme_4)_2TCNQ_3のプロトンNMR
- 31a-XB-9 κ-(BEDT-TSF)_2FeCl_4の磁気抵抗異常
- 28p-XB-11 (NMe^+_4.TCNQ^-・)_2TCNQにおける光吸収の圧力依存性
- 28p-XB-10 (AsMe_4^+DMTCNQ^-)1/2DMTCNQのESR
- 29pTE-13 ベンゾ基を含むπd系反強磁性体の強磁場磁化(29pTE π-d系,領域7(分子性固体・有機導体))
- 29pTE-12 ベンゾ基を含むπ-d系反強磁性体のESR(29pTE π-d系,領域7(分子性固体・有機導体))
- 22aWB-6 πd系有機半導体における強磁性発現II(π-d系,領域7(分子性固体・有機導体))
- 22aWB-4 強磁性を示す屈曲ドナーとFeBr_4の1:1塩のπd相互作用(π-d系,領域7(分子性固体・有機導体))
- 24pYK-12 πd系有機半導体における強磁性発現(π-d系1, N-1移転,領域7(分子性固体・有機導体))
- 28pWL-7 π-d系強磁性伝導体(EDTTFVO)_2FeBr_4 : 誘電特性(BETS塩・陽ラジカル塩)(領域7)
- 28pPSA-66 新しいウラン化合物U_3Ni_5Al_の単結晶育成と物性(領域8(磁性)ポスターセッション(希土類・アクチナイド化合物))(領域8)
- 28pPSA-65 UCu_2Si_2の単結晶育成と磁気特性(領域8(磁性)ポスターセッション(希土類・アクチナイド化合物))(領域8)
- 8p-C-6 (XMe_4^+DMTCNQ)_2DMTCNQ(X=N, P, As)の室温強磁性と高電気伝導
- 27a-ZD-12 擬一次元白金錯体の準安定光誘起吸収
- 28a-G-1 擬一次元白金錯体における光誘起吸収バンドの温度依存性
- 29p-ZF-2 擬一次元白金錯体における光誘起吸収の顕微分及び画像解析II
- 25a-Z-10 擬一次元白金錯体における光誘起吸収の顕微分光及び画像解析
- 29p-YF-12 NiAs型Fe-S系化合物における高圧下のメスバウアー分光
- 29p-YN-2 ポーラスシリコン可視発光のソルバトクロミズムと加圧効果
- 5p-F-10 高圧・強磁場下におけるCd_M_xSe(M=Co, Mn)の励起子発光スペクトル
- 14a-DE-11 高圧下におけるCd_Co_xSe(x=0.012)の強磁場発光スペクトル
- 5a-F-7 反変調ドーブGaAs/AlGaAs量子井戸における障壁層のフォトリフレクタンスII
- 28p-K-9 反変調ドープGaAs/AlGaAs量子井戸における障壁層のフォトリフレクタンス
- 28p-D-16 高圧下におけるアレキサンドライトのR発光線のゼーマン分裂
- 26pE-12 ミッドギャップ状態の光生成と消滅の全時間変化-白金錯体の場合
- 31a-YC-1 PtCl錯体のAバンドの減衰と光誘起状態の平衡化
- 3a-Y-7 [Pt(en)_2][Pt(en)_2Cl_2](BF_4)_4の構造と光吸収の温度依存性
- 2p-YP-6 κ-(BEDT-TSF)_2FeCl_4の磁気抵抗効果
- 6a-C-12 κ-(BEDT-TSF)_2FeCl_4におけるキュリー・ワイス則とその異常
- 6a-C-10 超伝導体λ-(BEDT-TSF)_2GaCl_4の磁化特性
- 31a-C-1 (BEDT-TSF)_2X(X=FeCl_4, GaCl_4)の電気伝導と帯磁率測定 I
- (BEDT-TSF)_2X(X=FeCl_4, GaCl_4)の合成、結晶成長、評価
- 6a-S-3 酢酸銅1水化物-CH_3の60°K以下のT_1
- 3a-L-5 NH_4Br-Cu^のE.S.R. : 光吸収と相転移
- 8a-C-7 NaH_3(SeO_3)_2における、プロトンスピン格子緩和
- 4a-TB-7 銅をドープしたアンモニウムハライドの相転移 I
- NH_4Cl : Cu^における相転移点近傍でのg, A 及びエネルギー準位 : 磁気共鳴
- 14a-R-5 Cu^dopedNH_4Clの磁気共鳴
- 12p-J-9 Cd_Zn_xTe半導体混晶の強誘電的構造相転移
- 3a-ZA-6 2重ジグザグ鎖-O-Pt-Cu-O-をもつ複合酸化物 : 反強磁性半導体
- 25a-N-1 高温分子強磁性体(NMe^+_4.TCNQ)_2TCNQにおける光吸収の温度依存性
- 3a-KL-5 GaSe_S_xのエレクトロルミネッセンス(II)
- 11p-H-7 Teにおける高密度励起光伝導 I
- 10p-W-3 高励起下での伝導現象
- 3p-H-13 高密度励起GaSeの発光と基礎吸収
- Fe_xZrS_2及びFe_xHfS_2層間化合物の物性(インターカレーションの機構と物性(第1回),科研費研究会報告)
- 5a-PS-50 BiSrCaCuO超伝導酸化物のラマン散乱
- 3a-Y-8 擬一次元白金錯体のサブギャップ光吸収
- 29p-Z-7 擬一次元白金錯体に光誘起されたキンクの減衰
- 28p-YM-2 擬一次元白金錯体[Pt(en)_2][Pt(en)_2Cl_2](BF_4)_4の光誘起ミッドギャップ吸収
- 31p-J-7 擬一次元白金錯体[Pt(en)_2][Pt(en)_2Cl_2](BF_4)_4の高圧ラマン散乱
- 14a-DD-5 擬一次元白金錯体Pt(en)_2Cl(BF_4)_2のミッドギャップ光吸収
- 磁場による中性ニッケル錯体オリゴマーの伝導性質の改良 (強磁場下の結晶成長及び強磁場の化学・生物学効果の研究)
- 25a-N-3 圧力下における(AsMe^_4DMTCNQ^)・1/2DMTCNQの電気抵抗の温度依存性
- 分子性有機磁性体の分子設計・合成 (π電子系有機固体--分子設計・電子物性(電荷とスピン)・応用) -- (エキゾチックπ電子系有機分子の設計・合成)
- 新規な特性をもつ分子性導体の開発--πスピンカラム,イオン伝導チャンネルの導入(1998年の化学 最新のトピックス)
- 有機強磁性体 (特集 高磁気特性で小形・軽量,高密度化を支える磁性材料) -- (次世代磁性材料&デバイス)
- 27a-B-2 III-VI族層状半導体InSeの励起子の磁気光効果
- 30p-W-15 Cu_2Oのオルソ励起子共鳴第2高調波
- 2p-F-14 InSeの強磁場磁気光吸収による励起子ノード曲面数保存測の検討II
- 2a-NL-9 III-VI族層状化合物における吸収端励起子の内部構造と有効g-値
- 2a-NL-8 InSeの高磁場磁気-光吸収による励起子ノード曲面数保存則の検討
- 27a-E-16 ハロゲン架橋型一次元白金錯体における偏光光吸収スペクトルの静水圧依存性
- 29p-M-12 〓一次元白金錯体のKバンドESR
- 27a-ZD-11 硫酸塩白金錯体の高圧光吸収
- 30a-H-7 擬一次元白金錯体の圧力誘起連続相転移-実験
- 光照射した擬一次元白金錯体のESR(II 平成元年度研究会報告,超強磁場による電子制御の研究,科研費研究会報告)
- M_2TCNQR_3(M=NMe_4, Cs:R=H, F)の磁性と電気伝導
- 25a-N-4 (NMe_4^+TCNQ^)_2TCNQのX線回折
- 新しい機能性有機材料を指向するテトラチアフルバレン誘導体の合成
- 室温で強磁性を示すTCNQ塩
- タイトル無し
- 25pXM-15 強磁場下で成長したTCNQ化合物の赤外特性(25pXM ET-TCNQ系・新物質(中性イオン性転移・実験技術を含む),領域7(分子性固体・有機導体分野))