20aWF-11 (NMe_4)_2TCNQ_3とCs_2TCNQ_3における高圧赤外吸収

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 2001-09-03

著者

• 加賀山 朋子

  熊大工

• 杉本 豊成

  阪府大先端研

• 黒田 規敬

  熊大工

• 小島 憲道

  東大総合文化

• 黒田 規敬

  熊本大学大学院

• 小島 憲道

  Department Of Basic Science Graduate School Of Arts And Sciences The University Of Tokyo

• Kuroda Noritaka

  Discovery Research Laboratories V Discovery Research Division Takeda Chemical Industries Ltd.

• Kuroda Noritaka

  Institute For Materials Science Tohoku University

• Hamai Miho

  Institute For Materials Research Tohoku University

• Kojima Norimichi

  Graduate School Of Arts And Science University Of Tokyo

• Kuroda N

  Nec Corp. Ibaraki Jpn

• KURODA Noritaka

  Research Institute for Iron, Steel and Other Metals Tohoku University : Tohoku University : Physics Department, Purdue University

関連論文

• 23aTF-3 電荷移動相転移を示す鉄混合原子価錯体の低温構造II(含金属有機導体/π-d系,領域7,分子性固体・有機導体)
• 24aRC-3 電荷移動相転移を示す鉄混合原子価錯体の低温構造(分子磁性・金属架橋,領域7,分子性固体・有機導体)
• 28pPSB-22 高圧・強磁場下におけるEu_Sr_MnO_3の磁気特性
• 27aYK-12 UGa_3の磁性における圧力効果
• 27aYK-7 UIn_3の磁気秩序の圧力効果
• 25aSE-11 DyB_2C_2の熱膨張と圧力効果
• 28a-PS-60 高圧下におけるEu_Sr_MnO_3の構造と電気伝導
• 12pWH-8 (BDA-TTP)_2FeCl_4 および強磁性を示すキノンを含む TTF・FeBr_4 錯体のπ d 相互作用(π-d 電子系他, 領域 7)
• 29pPSB-21 圧力下における重い電子系物質 CeInCu_2 の電気抵抗 : スピン disorder の影響
• 27pYL-9 分子磁性伝導体(EDT-TTFVO)_2FeBr_4の圧力効果(τ-型, および各種相転移,領域7(分子性固体・有機導体))
• 19pPSA-16 光照射によるCs_2Au_2Br_6のバンド構造の変化II(ポスターセッション,領域5,光物性)
• 23pQE-8 光照射によるCs_2Au_2Br_6のバンド構造の変化(23pQE 光誘起相転移,領域5(光物性))
• 27aPS-1 混合原子価錯体(C_3H_7)_4N[Fe^Fe^(tto)_3] (tto = C_2OS_3)の電荷移動相転移と強磁性転移(領域3ポスターセッション : 希土類合金,化合物磁性,薄膜・人工格子,スピングラス,フラストレーション,量子スピン系,実験技術開発等)(領域3)
• 22aWE-1 電荷移動型スピンクロスオーバー相転移に関する一般化 Wajnflasz 模型による解析
• 29pYG-4 AuXの多様な電子相と光誘起転移
• 25aR-11 Au混合原子価錯休Cs_2[Au^IX_2][Au^X_4](X=Cl,I)のバンド構造の圧力変化と半導体・金属転移
• 「圧力誘起分子解離の最前線」の特集にあたって
• 20pRJ-10 Benzo-TTFVS_2 GaBr_4分子性結晶のESR(I)(π-d系・ESR・フェルミオロジー,領域7,分子性固体・有機導体)
• 25aYF-3 ベンゾ基を含むπd系反強磁性体の強磁場磁化(2)(25aYF π-d系,高圧物性,導電性高分子,領域7(分子性固体・有機導体))
• 29aPS-30 鉄基ホイスラー合金の圧力下での物性
• 28pWG-14 Cs_2TCNQ_3における高圧下電気抵抗(方法論・NI系・他)(領域7)
• 28pWG-13 RbTCNQの光学特性(方法論・NI系・他)(領域7)
• 強磁場下における電荷移動錯体の結晶成長 (強磁場下の結晶成長及び強磁場の化学・生物学効果の研究)
• 23aXE-6 強磁場下で育成した TCNQ 化合物の結晶の光学特性
• 28aZA-1 磁場下で成育した TCNQ 化合物の結晶における高圧赤外吸収
• 強磁場による中性金属錯体ポリマーの薄膜構造の改質 (強磁場下の結晶成長及び強磁場の化学・生物学効果の研究)
• 強磁場によるTCNQ塩の電子構造の改質 (強磁場下の結晶成長及び強磁場の化学・生物学効果の研究)
• 20aWF-12 DMTCNQ塩のESR
• 20aWF-11 (NMe_4)_2TCNQ_3とCs_2TCNQ_3における高圧赤外吸収
• 28aWB-1 磁場中で成長したTCNQ中性・ラジカル混合電荷移動錯体の高圧光吸収
• 23aYG-2 (NMe_4)_2TCNQ_3における赤外吸収の温度依存性
• 22aZK-7 磁場中で成長した1:2TCNQ中性ラジカル混合電荷移動錯体における光吸収
• 強磁場下におけるTCNQ塩の結晶成長 (強磁場下の結晶成長及び強磁場の化学・生物学効果の研究)
• 26aE-1 τ-(EDO-S, S-DMEDT-TTF)_2(AuBr_2)_, (y〜0.75)の静磁化率と反射スペクトル
• 24aE-13 (NMe_4^+.TCNQ^)_2TCNQにおけるFTIR反射の圧力依存性
• 24aE-12 (Cs^+.TCNQ^)_2TCNQにおける光吸収の温度と圧力依存性
• 24aE-11 Cs_2TCNQ_3および(Nme_4)_2TCNQ_3のプロトンNMR
• 31a-XB-9 κ-(BEDT-TSF)_2FeCl_4の磁気抵抗異常
• 28p-XB-11 (NMe^+_4.TCNQ^-・)_2TCNQにおける光吸収の圧力依存性
• 28p-XB-10 (AsMe_4^+DMTCNQ^-)1/2DMTCNQのESR
• 29pTE-13 ベンゾ基を含むπd系反強磁性体の強磁場磁化(29pTE π-d系,領域7(分子性固体・有機導体))
• 29pTE-12 ベンゾ基を含むπ-d系反強磁性体のESR(29pTE π-d系,領域7(分子性固体・有機導体))
• 22aWB-6 πd系有機半導体における強磁性発現II(π-d系,領域7(分子性固体・有機導体))
• 22aWB-4 強磁性を示す屈曲ドナーとFeBr_4の1:1塩のπd相互作用(π-d系,領域7(分子性固体・有機導体))
• 24pYK-12 πd系有機半導体における強磁性発現(π-d系1, N-1移転,領域7(分子性固体・有機導体))
• 28pWL-7 π-d系強磁性伝導体(EDTTFVO)_2FeBr_4 : 誘電特性(BETS塩・陽ラジカル塩)(領域7)
• 28pPSA-66 新しいウラン化合物U_3Ni_5Al_の単結晶育成と物性(領域8(磁性)ポスターセッション(希土類・アクチナイド化合物))(領域8)
• 28pPSA-65 UCu_2Si_2の単結晶育成と磁気特性(領域8(磁性)ポスターセッション(希土類・アクチナイド化合物))(領域8)
• メスバウアー分光による光誘起電荷移動相転移の研究
• 8p-C-6 (XMe_4^+DMTCNQ)_2DMTCNQ(X=N, P, As)の室温強磁性と高電気伝導
• SiC半導体表面の紫外線照射研磨加工へのTiO_2粒子およびCeO_2粒子の影響
• Evidence for Ballistic Thermal Conduction in the One-Dimensional S=1/2 Heisenberg Antiferromagnetic Spin System Sr_2CuO_3(Condensed matter: structure and mechanical and thermal properties)
• 27aUA-6 高分散単層カーボンナノチューブ膜の超強磁場下光吸収特性(27aUA ナノチューブ光物性I,領域7(分子性固体・有機導体))
• 19pYF-6 ミセル化単層カーボンナノチューブ配向膜の超強磁場下光吸収特性III(ナノチューブ光物性,領域7(分子性固体・有機導体))
• 19aPS-6 高圧下における希土類硼素炭化物Ho_xY_Ni_2B_3Cの超伝導特性
• 6a-PS-89 高圧・高磁場下におけるYbBe_13の電気抵抗と熱膨張
• 6a-PS-88 高圧下におけるCeRh_2単結晶の電気抵抗
• 25aPS-57 Kイオン脱離過程におけるプルシアンブルー類似体の磁気状態変化(25aPS 領域3ポスターセッション,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 加工表面の分析評価に基づいたSiC半導体の加工メカニズムの研究
• 23aTA-4 SiC の折り返し LO フォノンによる偏光減衰全反射とポリタイプ依存性
• 28pZH-2 赤外近接場法による 6H-, 4H-SiC 単結晶の Fuchs-Kliewer フォノンの観測
• 28pZH-2 赤外近接場法による 6H-, 4H-SiC 単結晶の Fuchs-Kliewer フォノンの観測
• 2p-YP-6 κ-(BEDT-TSF)_2FeCl_4の磁気抵抗効果
• 6a-C-12 κ-(BEDT-TSF)_2FeCl_4におけるキュリー・ワイス則とその異常
• 6a-C-10 超伝導体λ-(BEDT-TSF)_2GaCl_4の磁化特性
• 31a-C-1 (BEDT-TSF)_2X(X=FeCl_4, GaCl_4)の電気伝導と帯磁率測定 I
• (BEDT-TSF)_2X(X=FeCl_4, GaCl_4)の合成、結晶成長、評価
• 13aWF-10 ミセル化単層カーボンナノチューブ配向膜の超強磁場下光吸収特性(ナノチューブ光物性, 領域 7)
• Application of an Automated Synthesis Suite to Parallel Solution-Phase Peptide Synthesis
• Solution-Phase Automated Synthesis of Tripeptide Derivatives
• 14pXC-12 GaN/Sapphire 界面の表面波 ATR(励起子・ポラリトン, 領域 5)
• 27pXS-10 GaN/Sapphireのヘテロ残留線反射(低次元物質)(領域5)
• 27pXS-9 GaN/Sapphireの表面波ATR(低次元物質)(領域5)
• 23pXE-8 一次元格子中で光生成・対消滅をするポーラロンの相互作用を考慮したダイナミックス
• Anisotropic Magnetic Properties and Anomalous Thermal Conductivity in the bc Plane of the Quasi-Two-Dimensional Spin System Cu_3B_2O_6 : Relation between the Thermal Conductivity and the Spin State in Magnetic Fields
• Modification of electronic structure of Cs2TCNQ3 with magnetic field
• 25a-N-1 高温分子強磁性体(NMe^+_4.TCNQ)_2TCNQにおける光吸収の温度依存性
• 28aPS-74 MVO_4 光触媒酸化物の高圧物性
• 18pYD-3 UNiGa_5の圧力下物性
• 磁場による中性ニッケル錯体オリゴマーの伝導性質の改良 (強磁場下の結晶成長及び強磁場の化学・生物学効果の研究)
• 25a-N-3 圧力下における(AsMe^_4DMTCNQ^)・1/2DMTCNQの電気抵抗の温度依存性
• 分子性有機磁性体の分子設計・合成 (π電子系有機固体--分子設計・電子物性(電荷とスピン)・応用) -- (エキゾチックπ電子系有機分子の設計・合成)
• 新規な特性をもつ分子性導体の開発--πスピンカラム,イオン伝導チャンネルの導入(1998年の化学 最新のトピックス)
• 有機強磁性体 (特集 高磁気特性で小形・軽量,高密度化を支える磁性材料) -- (次世代磁性材料&デバイス)
• 29aPS-30 鉄基ホイスラー合金の圧力下での物性
• M_2TCNQR_3(M=NMe_4, Cs:R=H, F)の磁性と電気伝導
• 28aPS-53 UNiGa_5の圧力下の物性
• 25a-N-4 (NMe_4^+TCNQ^)_2TCNQのX線回折
• 新しい機能性有機材料を指向するテトラチアフルバレン誘導体の合成
• 室温で強磁性を示すTCNQ塩
• 高圧・高磁場下における非晶質Ce-Ru合金の電気抵抗
• 23aTA-3 近接場分光による GaN のバルクフォノンと Fuchs-Kliewer 表面波
• 30pZA-1 一次元白金錯体 [Pt(en)_2Cl]_3[CuCl_4]_2・6H_2O のミッドギャップ状態の光誘起カイネティクス
• 20aYG-11 一次元白金錯体[Pt(en)_2Cl]_3(CuCl_4)_2・6H_2Oのレーザー誘起光吸収
• タイトル無し
• 8pSC-1 一次元白金錯体[Pt(en)2Cl]3[CuCl4]2・6H2Oにおけるソリトンバンドの光誘起特性(金属錯体(MX系・MMX系など),領域7)
• 25pXM-15 強磁場下で成長したTCNQ化合物の赤外特性(25pXM ET-TCNQ系・新物質(中性イオン性転移・実験技術を含む),領域7(分子性固体・有機導体分野))
• 25pWD-1 赤外全反射減衰(IRATR)による6H-,4H-SiCの表面並と表面状態(25pWD 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長分野))
• 27pZC-12 一次元白金錯体[Pt(en)_2Cl]_3(CuCl_4)_2・6H_2Oのレーザー誘起ミットギャップ状態(27pZC LB膜・金属錯体(MX系・MMX系など),領域7(分子性固体・有機導体分野))
• 磁性超伝導体HoNi_2B_2Cの磁歪

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク