24pYF-13 3次元アトムプローブによるゲート酸化膜/シリコン基板界面へのAs原子偏析の観察(格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)

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概要

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• 社団法人日本物理学会の論文
• 2008-02-29

著者

• 西田 彰男

  MIRAI-Selete

• 井上 耕治

  東北大金研

• 矢野 史子

  MIRAI-Selete

• 外山 健

  東北大金研

• 永井 康介

  東北大金研

• 長谷川 雅幸

  東北大金研

• 井上 耕治

  京大院工

• 井上 耕治

  東北大 金属材料研

• 井上 耕治

  京大工

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