24pYF-1 陽電子消滅法を用いた低温電子線照射したSi中の空孔型欠陥の低温測定(格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)

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概要

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• 社団法人日本物理学会の論文
• 2008-02-29

著者

• 井上 耕治

  東北大金研

• 永井 康介

  東北大金研

• 長谷川 雅幸

  東北大金研

• 井上 耕治

  京大院工

• 井上 耕治

  東北大 金属材料研

• 武内 伴照

  東北大金研

• 唐 政

  華東師範大学

• 唐 政

  東北大金研

• 兵頭 俊夫

  東大院総合

• 兵頭 俊夫

  東大教養:東大院総合文化

• 井上 耕治

  京大工

• 兵頭 俊夫

  高エネ研

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