28aXT-1 陽電子消滅法による電子線照射Si中の空孔型欠陥の研究 : 電子線照射したFZ-SiのPの添加効果について(格子欠陥・ナノ構造)(領域10)
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概要
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- 社団法人日本物理学会の論文
- 2004-03-03
著者
-
井上 耕治
東北大金研
-
永井 康介
東北大金研
-
長谷川 雅幸
東北大金研
-
井上 耕治
京大院工
-
井上 耕治
東北大 金属材料研
-
唐 政
華東師範大学
-
唐 政
東北大金研
-
今井 賢
東北大金研
-
井上 耕治
京大工
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