高誘電率ゲート絶縁膜の信頼性(先端LSI技術と信頼性)
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概要
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CMOS LSIの高集積化・高性能化・低消費電力化は,基本構成要素のMOSFETの比例縮小則(スケーリング則)による微細化に基本を置き,その中心技術としてゲート酸化膜の薄層化がある.現状の最先端デバイスでは,その膜厚が2〜3nmとなり,物理的限界に近づいており,その代替技術として,高誘電率膜の開発が進められている.その高誘電率膜技術の開発の現状,問題点,信頼性上の着目点と現状について展望する.
- 日本信頼性学会の論文
- 2007-07-01
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