宮下 美代 | 三菱電機株式会社光・マイクロ波デバイス開発研究所
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概要
関連著者
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宮下 美代
三菱電機株式会社光・マイクロ波デバイス開発研究所
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宮下 美代
三菱電機株式会社高周波・光デバイス製作所
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山本 和也
三菱電機株式会社
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山本 和也
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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久留須 整
三菱電機高周波光デバイス製作所
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久留須 整
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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宮下 美代
三菱電機株式会社
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小川 喜之
三菱電機高周波光デバイス製作所
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小川 喜之
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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鈴木 敏
三菱電機
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鈴木 敏
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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鈴木 敏
三菱電機株式会社:高周波光デバイス製作所
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山本 和也
三菱電機高周波光デバイス製作所
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宮下 美代
三菱電機高周波光デバイス製作所
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三浦 猛
三菱電機高周波光デバイス製作所
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久留須 整
三菱電機株式会社光マイクロ波統括事業部
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紫村 輝之
三菱電機高周波光デバイス製作所
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中山 正敏
三菱電機株式会社:高周波光デバイス製作所
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久留須 整
三菱電機株式会社
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三浦 猛
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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中山 正敏
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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鈴木 敏
三菱電機株式会社高周波光素子事業統括部
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小丸 真喜雄
三菱電機株式会社 光・マイクロ波デバイス開発研究所
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紫村 輝之
三菱電機株式会社 光・マイクロ波デバイス開発研究所
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鈴木 敏
三菱電機高周波光デバイス製作所
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小丸 真喜雄
三菱電機高周波光デバイス製作所
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小丸 真喜雄
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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小丸 真喜雄
三菱電機株式会社
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中山 正敏
三菱電機株式会社
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鈴木 敏
三菱電機株式会社
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井上 晃
三菱電機株式会社 情報技術総合研究所
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井上 晃
三菱電機株式会社
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奥田 敏雄
三菱電機高周波光デバイス製作所
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島村 将一
Wave Technology
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小西 晋輔
Wave Technology
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佐々木 善伸
三菱電機高周波光デバイス製作所
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Inoue Akira
Information Technology R&d Center
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中山 正敏
三菱電機高周波光デバイス製作所
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宇土元 純一
三菱電機高周波光デバイス製作所
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松下 良
三菱電機高周波光デバイス製作所
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高原 良雄
ルネサスセミコンダクタエンジニアリング
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井上 晃
三菱電機高周波光デバイス製作所
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井上 晃
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
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野上 正道
三菱電機株式会社 情報技術総合研究所
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松塚 隆之
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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佐々木 善伸
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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前田 憲一
三菱電機株式会社
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石村 栄太郎
光・マイクロ波デバイス開発研究所
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石村 栄太郎
高周波光素子事業統括部
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奥田 敏雄
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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島村 将一
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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小西 晋輔
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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森脇 孝雄
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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本島 邦明
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
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野上 正道
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
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石村 栄太郎
三菱電機株式会社
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佐々木 善伸
三菱電機株式会社
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上山 忠善
三菱電機(株)情報技術総合研究所
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片山 政利
三菱電機株式会社通信システム統括事業部
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森脇 孝雄
三菱電機株式会社
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石村 栄太郎
三菱電機
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前田 憲一
三菱電機株式会社高周波・光デバイス製作所
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向井 謙治
三菱電機株式会社高周波・光デバイス製作所
-
森脇 孝雄
三菱電機株式会社高周波・光デバイス製作所
-
石村 栄太郎
三菱電機株式会社:技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
-
上山 忠善
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
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松塚 隆之
三菱電機株式会社高周波・光デバイス製作所
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松塚 隆之
三菱電機株式会社
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片山 政利
三菱電機(株) 通信システム統括事業部
-
向井 謙治
三菱電機株式会社
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本島 邦明
三菱電機株式会社
-
野上 正道
三菱電機株式会社
-
石村 栄太郎
三菱電機株
著作論文
- 2.5/3.5GHz帯WiMAX用HBT MMIC電力増幅器モジュール(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 無線通信用カレントミラー型GaAs HBT RF検波回路の検討(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- GaAs方向性結合器付き検波回路の検討(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- C-10-1 受動移相器を内蔵したカプラ付きGaAs HBT RF検波回路の検討(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-10-2 能動移相器を内蔵したカプラ付きGaAs HBT RF検波回路の検討(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-10-17 GaAs基板上に作製したカプラ付きHBT RF検波回路の基本検討(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-10-16 増幅段バイパス型利得切替HBT増幅器に関する検討(C-10. 電子デバイス,一般セッション)
- C-10-2 2.5/3.5GHz帯InGaP HBT電力増幅器モジュール(C-10.電子デバイス,一般講演)
- C-10-1 GaAs HBT RF検波回路に関する基本検討(2)(C-10.電子デバイス,一般講演)
- GaAs-HBT AC結合スタック型ベース・コレクタダイオードスイッチを用いた0/20dB減衰器(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- 2.5/3.5GHz帯WiMAX用HBT MMIC電力増幅器モジュール(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- GaAs-HBT AC結合スタック型ベース・コレクタダイオードスイッチを用いた0/20dB減衰器(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- GaAs-HBT AC結合スタック型ベース・コレクタダイオードスイッチを用いた0/20dB減衰器
- C-10-5 GaAs AC結合スタック型ダイオードステップ減衰器の歪み特性の改善(C-10.電子デバイス,一般講演)
- GaAs方向性結合器付き検波回路の検討(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- 無線通信用カレントミラー型GaAs HBT RF検波回路の検討(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- WiMAX用小型電力増幅器"MGFS38Eシリーズ" (特集 高周波・光デバイス)
- C-10-10 カプラ及びアッテネータ内蔵型W-CDMA用HBT電力増幅器(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- 622Mbit/s高感度PD PreAmp.の開発
- フィードバック回路を用いたGaAs-HBT MMICカプラの検討(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- フィードバック回路を用いたGaAs-HBT MMICカプラの検討(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)