片面微細加工キャビティと窒化シリコンメンブレインを用いたGCPW線路およびハイブリッド回路
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概要
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シリコン基板の片側からのエッチングにより作成したキャビティにグランドメタルをスパッタで形成したあと,レジスト剤を充填し,平坦化を経て窒化シリコン膜を形成する方法を開発した。その膜上にマイクロ波回路パターンを形成し,先に充填したレジスト剤を除去することで,グランド導体を有するキャビティ構造の上の窒化シリコン膜にマイクロ波回路を加工することが可能となった。このプロセスを用いてグランデッドコプレーナ線路とハイブリッド回路を試作した。測定結果は電磁界計算による計算結果とよく一致し,本プロセスがシリコン基板上の微細なマイクロ波回路の作成に有効であることが示された。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-12-12
著者
-
石田 修己
韓国情報通信大学工学部
-
石田 修己
三菱電機株式会社
-
西野 有
三菱電機(株)情報技術総合研究所
-
李 相錫
三菱電機(株)先端技術総合研究所
-
吉田 幸久
三菱電機(株)先端技術総合研究所
-
石田 修己
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
-
石田 修己
三菱電機(株)情報技術総合研究所
-
吉田 幸久
三菱電機(株)
-
末廣 善幸
三菱電機(株)先端技術総合研究所
-
深見 達也
三菱電機(株)先端技術総合研究所
-
大橋 英征
三菱電機(株)情報技術総合研究所
-
Lee Sang-Seok
三菱電機(株) 先端技術総合研究所
-
Lee Sang‐seok
三菱電機
-
深見 達也
三菱電機 先端技総研
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