対称スロット線路形S/Nエンハンサの静磁波放射抵抗
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概要
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静磁波スロット線路形S/Nエンハンサにおいて,スロット線路の両面にYIG膜を配置した対称スロット線路構造,および高誘電率の誘電体を積層した構造により,エンハンスメント量を改善できることを理論および実験により示す.まず,エンハンスメント量が,静磁波への変換損に起因したスロット線路の減衰定数に比例することを示す.つぎにスロット線路を伝搬する電磁界の内,スロットの面に垂直な磁束密度が静磁波への変換に寄与することに着目し,静磁波放射抵抗および減衰定数を導出した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-05-26
著者
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