S/Nエンハンサに用いる対称スロット線路の静磁波放射インピーダンス
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概要
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静磁波スロット線路形S/Nエンハンサにおいて, スロット線路の両面にYIG膜を配置した対称スロット線路構造, および高誘電率の誘電体を積層した構造により, エンハンスメント量を改善できることを理論的に示し, 実験により確認した. まず,エンハンスメント量を改善するには, 線形動作時の静磁波への変換損に起因したスロット線路の減衰定数を大きくしなけれぱならないことを示す. 次にスロット線路を伝搬する電磁界の内, スロットの面に垂直な磁束密度が静磁波への変換に寄与することに着目し, 静磁波放射インピーダンスを求めた. この放射インピーダンスを用いて対称スロット線路構造, および高誘電率誘電体積層構造のスロット線路の減衰定数を導出し, エンハンスメント量の改善効果を明らかにした.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-02-25
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