S帯170W/70%パーシャル整合GaN HEMT高効率高出力増幅器 : 高調波処理によるGaN-on-Siデバイスの高効率化 (エレクトロニクスシミュレーション)
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概要
- 論文の詳細を見る
- 2012-07-26
著者
-
内田 浩光
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
-
小坂 尚希
三菱電機株式会社
-
Noto Hifumi
Information Technology R&d Center
-
能登 一二三
三菱電機(株)情報技術総合研究所
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