DVD-RAM用650nm帯高出力半導体レーザ : 高温・高出力・高信頼度動作の実現
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
DVD-RAMシステムの光源として, 波長650nm帯の高出力半導体レーザ(30mW以上)が不可欠となっている. また, 60℃以上の高温動作や高い信頼性も要求されている. 本報告では, 先ずこれらの要求を実現するための課題と対策について述べ, 次に我々が新たに開発したDVD-RAM用レーザについて報告する. レーザの開発においては, 高温時での動作電流低減のために活性層構造の最適化を図ると共に, 素子端面の強化策として端面窓構造の適用を行った. その結果, 150mWを超えても端面破壊を起こさない出力特性や, 60℃の高温でも30-50mWの高出力で長時間安定に動作できる高い信頼性を実現できた.
- 1997-09-26
著者
-
竹見 政義
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
島 顕洋
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
島 顕洋
三菱電機高周波光素子事業統括部
-
広中 美佐夫
三菱電機高周波光素子事業統括部
-
小野 健一
三菱電機高周波光素子事業統括部
-
竹見 政義
三菱電機高周波光素子事業統括部
-
坂本 善史
三菱電機高周波光素子事業統括部
-
山下 光二
三菱電機高周波光素子事業統括部
-
坂本 善史
三菱電機
関連論文
- 高効率・高出力GaN系半導体レーザ(特別セッションテーマ: GaN系LEDの内部量子効率を決めているものは?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- DVD記録用660nm帯赤色LDの高出力化
- DVD-R/RW用高出力赤色LD(量子光学,非線形光学,超高速現象,レーザー基礎,及び一般)
- 電気的アイソレーション向上による変調器付きDFB-LDの帯域改善
- 全MOCVD成長による1.48μm帯高出力レーザの信頼性
- 高効率・高出力GaN系半導体レーザ(特別セッションテーマ: GaN系LEDの内部量子効率を決めているものは?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 高効率・高出力GaN系半導体レーザ(特別セッションテーマ: GaN系LEDの内部量子効率を決めているものは?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 780nm帯窓構造高出力レーザ
- 8倍速CD-R/RW用780nm低電流型高出力半導体レーザ (特集 宇宙から海底まで IT社会を支える光・高周波デバイス)
- CD-R/RW用780nm帯低動作電流型レーザ (特集 光・マイクロ波デバイス)
- CS-5-6 1.3μm帯25/40Gb/s EA変調器集積DFB-LD(CS-5.新たな転機を迎えた通信用送受信デバイスの動向,シンポジウムセッション)
- CS-5-4 100GbE用25Gbps pin-PD(CS-5.新たな転機を迎えた通信用送受信デバイスの動向,シンポジウムセッション)
- DVD-RAM用650nm帯高出力半導体レーザ : 高温・高出力・高信頼度動作の実現
- 多層反射膜/半絶縁性InP窓層プレーナ型PDの低歪特性
- 半絶縁性 InP 窓層/多層反射膜を有するプレーナ構造高速 InGaAs-PD
- DVD-RAM/RW用赤色低動作電流・高出力半導体レーザ (特集 宇宙から海底まで IT社会を支える光・高周波デバイス)
- DVD-RAM用650nm帯70mWレーザ (特集 光・マイクロ波デバイス)
- DVD-RAM用高出力半導体レ-ザ (特集 光・マイクロ波デバイス)
- 光ディスク装置用レ-ザ光源 (光記録技術特集)
- 記録型DVD用高出力赤色半導体レーザ (特集:青紫色〜近赤外域半導体レーザの最新動向)
- 書換型DVDドライブ用高出力半導体レ-ザ (特集 最近のDVD技術)
- DVD±R/RW用赤色半導体レーザ (特集 オプトエレクトロニクスの最新成果を追う)
- C-4-14 43Gbps RZ-DQPSK送信器用MZ変調器集積波長可変DFBレーザアレイ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 1.3μm帯25/40Gb/s EA変調器集積DFB-LD
- 76GHz帯車載レーダー用低雑音高信頼性InP/GaAsSb DHBT
- 1.3μm帯25/40Gb/s EA変調器集積DFB-LD(一般,フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- 1.3μm帯25/40Gb/s EA変調器集積DFB-LD(一般,フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- 1.3μm帯25/40Gb/s EA変調器集積DFB-LD(一般,フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- 低消費電流1.3μm帯AlGaInAs系25.8Gbps直接変調埋込型DFBレーザ(半導体レーザ関連技術,及び一般)