0.98μm帯リッジ型窓構造高出力半導体レーザ
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概要
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エルビウム(Er)ドープファイバアンプの励起用光源である0.98μm帯の高出力半導体レーザを開発した。本用途においては, 高出力動作下で高信頼性が要求されるが, これを実現するため端面近傍にSi注入・アニールによる歪量子井戸構造の無秩序化を利用した窓構造を設けた。この結果, 0.98μm帯半導体レーザの信頼性を制限する端面破壊レベルの低下による突然劣化を防止することが可能となり, 150mW, 50℃の条件において1万時間以上の安定な動作を実現した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-08-27
著者
-
花巻 吉彦
三菱電機(株)高周波光デバイス製作所
-
花巻 吉彦
三菱電機株式会社
-
吉田 保明
三菱電機
-
樋口 英世
大阪電気通信大学大学院工学研究科
-
川崎 和重
三菱電機株式会社
-
永井 豊
三菱電機株式会社
-
樋口 英世
三菱電機
-
永井 豊
三菱電機(株)高周波光素子事業統括部
-
川崎 和重
三菱電機(株)高周波光素子事業統括部
-
山村 真一
三菱電機(株)高周波光素子事業統括部
-
鴫原 君男
三菱電機(株)高周波光素子事業統括部
-
宮下 宗治
三菱電機(株)高周波光素子事業統括部
-
吉田 保明
三菱電機(株)高周波光素子事業統括部
-
樋口 英世
三菱電機(株)高周波光素子事業統括部
-
鴨原 君男
三菱電機株式会社
-
鴫原 君男
三菱電機株式会社 高周波光デバイス製作所
-
吉田 保明
三菱電機株式会社高周波光素子事業統括部
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